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Préparation de grande surface verticales Crystal hétéro-structures 2D par l’intermédiaire de la sulfuration de Films de métaux de Transition pour la Fabrication de dispositifs
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Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
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Préparation de grande surface verticales Crystal hétéro-structures 2D par l’intermédiaire de la sulfuration de Films de métaux de Transition pour la Fabrication de dispositifs

DOI:
10.3791/56494-v

•

08:50 min

•

November 28, 2017

•

, , ,
1Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, 2Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, 3Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Chapters

  • 00:05Title
  • 00:47WS2/MoS2Vertical Heterostructure Growth
  • 03:49Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
  • 06:21Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
  • 08:11Conclusion

Summary

Automatic Translation

Automatic Translation

Par le biais de la sulfuration de métaux de transition antérieur, Hétéro-structures en cristal 2D de grande surface et verticale peuvent être fabriqués. Le film transfert et les procédures de fabrication de dispositif sont également illustrés dans ce rapport.

Tags

Keywords: 2D Crystal HeterostructuresVertical 2D MaterialsSulfurizationTransition Metal FilmsDevice FabricationRF SputteringSapphire SubstrateMolybdenum TargetSulfur PowderTube FurnaceArgon GasMolybdenum DisulfideTungsten Target

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