Ambient Verfahren zur Herstellung eines ionisch Gated Carbon Nanotube Gemeinsame Kathode in Tandem Organische Solarzellen

Polymerhalbleitern sind die führenden organischen Photovoltaik (OPV) Materialien durch hohe Saugfähigkeit, gute Transporteigenschaften, Flexibilität und Kompatibilität mit temperaturempfindlichen Substraten. OPV Gerätestromumwandlungseffizienzen, η, haben sich in den vergangenen Jahren sprang, mit Einzelzellwirkungsgrade bis zu 9,1% ^ein, so dass sie zu einem immer lebensfähige Energietechnologie.

Trotz der Verbesserungen in η, die dünnen optimale aktive Schichtdicken der Geräte beschränken Lichtabsorption und behindern zuverlässige Fertigung. Zusätzlich wird die spektrale Breite der Lichtabsorption von jedem Polymer wird begrenzt im Vergleich zu anorganischen Materialien. Pairing Polymere unterschiedlicher spektraler Empfindlichkeit umgeht diese Schwierigkeiten, so dass Tandem-Architekturen ² eine notwendige Innovation.

Serie Tandemvorrichtungen sind die häufigste Tandemarchitektur. In dieser Konstruktion kann eine Elektronentransport Material, eine optionale Metallic Rekombination Schicht und eine Lochtransportschicht verbinden zwei unabhängige photoaktiven Schichten genannt Unterzellen. Verknüpfen Unterzellen in einer Reihenkonfiguration erhöht die Leerlaufspannung des Kombinationsgerätes. Einige Gruppen haben Erfolg mit entartet dotierten Transportschichten ³ hatte ^{– 5,} aber mehr Gruppen Teilchen aus Gold oder Silber verwendet, um die Rekombination von Löchern und Elektronen in der Zwischenschicht ^6,7 unterstützen.

Im Gegensatz dazu parallel Tandems erfordern ein hohes Leitfähigkeitselektrode, entweder Anode oder Kathode, die Verbindung der beiden aktiven Schichten. Die Zwischenschicht muss sehr transparent sein, was Serie Tandem Zwischenschichten metallische Partikel enthalten, begrenzt, und mehr noch für die parallelen Tandemzwischenschichten aus dünnen, kontinuierlichen Metallelektroden zusammensetzt. Carbon Nanotubes (CNT) Blätter zeigen höhere Transparenz als Metallschichten. Also der NanoTech Institute in Zusammenarbeit mit Shimane University, hat introduced das Konzept der Verwendung als Zwischenschicht-Elektrode in monolithischer, parallel Tandemvorrichtungen ^8.

Frühere Bemühungen vorge monolithischen, parallel, Tandem OPV Geräte mit CNT Blätter, die als Zwischenschicht Anoden ^8,9. Diese Verfahren erfordern besondere Sorgfalt, um ein Kurzschließen einer oder beiden Zellen oder schädlichen vorhergehenden Schichten zu vermeiden, wenn Abscheiden späteren Schichten. Die in diesem Papier beschriebene neue Verfahren erleichtert die Herstellung, indem die CNT-Elektrode auf der Oberseite des polymeren aktiven Schichten aus zwei Einzelzellen, und Laminieren der zwei Geräte miteinander, wie in Figur 1 gezeigt. Dieses Verfahren ist wie die Vorrichtung bemerkenswert, eine Luft -stable CNT Kathode, kann vollständig in den Umgebungsbedingungen Verwendung nur trocken und Lösungsverarbeitung hergestellt werden.

CNT Blätter sind nicht eigen gute Kathoden, wie sie erforderlich n-Dotierung, um die Arbeitsfunktion, um Elektronen aus der photoaktiven Bereich zu sammeln verringerneiner Solarzelle ^10. Elektrischer Doppelschichtlade in einem Elektrolyten, wie beispielsweise einer ionischen Flüssigkeit ist, kann verwendet werden, um Verschiebung der Arbeitsfunktion der CNT-Elektroden ^{11 – 14.}

Wie in einem vorhergehenden Papier ¹⁵ beschrieben und in Figur 2, wenn die Gatespannung (V _Gate) ist erhöht dargestellt, wird die Arbeitsfunktion der CNT gemeinsamen Elektrode verringert, wodurch Elektroden Asymmetrie. Dies verhindert, dass Loch Sammlung aus der OPV die Spender zugunsten der Sammel Elektronen aus der OPV der Akzeptor und die Geräte einschalten, Wechsel von ineffizienten Fotowiderstand in Photodiode ¹⁵ Verhalten. Es sollte auch darauf hingewiesen, dass die Energie verwendet wird, um das Gerät und die Macht, Gate-Leckströme verloren wegen Ladung trivial im Vergleich zu der von der Solarzelle ¹⁵ erzeugten Strom werden. Ionic Gating von CNT-Elektroden hat eine große Wirkung auf die Austrittsarbeit aufgrund der geringen Dichte der Zustände und die hoheOberfläche zu Volumen-Verhältnis im CNT-Elektroden. Es wurden ähnliche Verfahren verwendet, um eine Schottky-Barriere an der Grenzfläche CNT mit n-Si ¹⁶ zu verbessern.