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Single-Digit Nanometer Electron-Beam Lithography with an Aberration-Corrected Scanning Transmission Electron Microscope
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Solo dígito nanómetros litografía de haz de electrones con una aberración-corregido exploración microscopio electrónico de transmisión

DOI:
10.3791/58272-v

•

10:25 min

•

September 14, 2018

•

, , , , , ,
1Center for Functional Nanomaterials,Brookhaven National Laboratory

Capítulos

  • 00:04Título
  • 01:03Sample Preparation for Resist Coating
  • 02:27Load Sample in STEM, Map Window Coordinates, and Perform High-Resolution Focusing
  • 04:54Expose Patterns Using an Aberration-Corrected STEM Equipped with a Pattern Generator System
  • 06:44Resist Development and Critical Point Drying
  • 08:09Results: Nanometer-Scale Lithographic Patterns in HSQ and PMMA (Positive and Negative Tone)
  • 09:14Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

Utilizamos un aberración-corregido exploración microscopio electrónico de transmisión para definir patrones de dígito nanómetro en dos rayos catódicos utilizado resiste: poli (metacrilato de metilo) y silsesquioxane de hidrógeno. Resistir los patrones pueden ser replicados en materiales de la blanco de la opción con fidelidad dígito nanómetro usando despegue, plasma de la aguafuerte y resisten la infiltración por compuestos organometálicos.

Tags

Electron-beam LithographyScanning Transmission Electron MicroscopeSTEMAberration-correctionNanometer ResolutionElectron Beam ResistPattern TransferNanoscale FabricationHSQ ResistSpin CoatingTEM ChipSample Preparation

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