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자리 나노미터 전자 빔 리소 그래피는 수 차 수정 스캐닝 전송 전자 현미경으로

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Single-Digit Nanometer Electron-Beam Lithography with an Aberration-Corrected Scanning Transmission Electron Microscope

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자리 나노미터 전자 빔 리소 그래피는 수 차 수정 스캐닝 전송 전자 현미경으로

DOI:

10.3791/58272-v

•

10:25 min

•

September 14, 2018

•

Fernando E. Camino, Vitor R. Manfrinato, Aaron Stein, Lihua Zhang, Ming Lu, Eric A. Stach, Charles T. Black

¹Center for Functional Nanomaterials,Brookhaven National Laboratory

Capítulos

00:04Título
01:03Sample Preparation for Resist Coating
02:27Load Sample in STEM, Map Window Coordinates, and Perform High-Resolution Focusing
04:54Expose Patterns Using an Aberration-Corrected STEM Equipped with a Pattern Generator System
06:44Resist Development and Critical Point Drying
08:09Results: Nanometer-Scale Lithographic Patterns in HSQ and PMMA (Positive and Negative Tone)
09:14Conclusion

Summary

Tadução automática

우리는 두 개의 널리 사용 전자 빔 레지스트에 자리 나노미터의 패턴을 정의 하는 수 차 수정 스캐닝 전송 전자 현미경 사용: 폴 리 (메 틸 메타 크리 레이트)와 수소 silsesquioxane. 저항 패턴 자리 나노미터 충실도 발사, 플라즈마 에칭를 사용 하 여 선택의 대상 재료에 복제 될 수 있습니다 및 저압에 의해 침투를 저항.

자리 나노미터 전자 빔 리소 그래피는 수 차 수정 스캐닝 전송 전자 현미경으로

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