用畸变校正扫描透射电镜进行单数字纳米电子束光刻

我们使用一个畸变校正扫描透射电子显微镜来定义两个广泛使用的电子束抵抗的单数字纳米模式: 聚甲基丙烯酸甲酯和氢 silsesquioxane。通过发射、等离子蚀刻和 organometallics 的抗渗, 可以将抗性模式复制到单位纳米保真度选择的目标材料中。