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二酸化バナジウムと温度依存性の光学モデルの原子層堆積法

JoVE Journal
Engenharia

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Atomic Layer Deposition of Vanadium Dioxide and a Temperature-dependent Optical Model

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二酸化バナジウムと温度依存性の光学モデルの原子層堆積法

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11:10 min

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May 23, 2018

DOI:

10.3791/57103-v

DOI:

10.3791/57103-v

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11:10 min

May 23, 2018

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Marc Currie¹, Michael A. Mastro¹, Virginia D. Wheeler¹

¹Naval Research Laboratory

Summary

二酸化バナジウム (VO₂) の薄膜 (100-1000 Å) は、サファイア基板上の原子層堆積法 (ALD) によって作成されました。次に、光学特性は VO₂の金属-絶縁体転移によって特徴付けられました。測定の光学特性から VO₂の可変の屈折を記述するモデルを作成しました。

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Atomic Layer Deposition Vanadium Dioxide Temperature-dependent Optical Model Phase Change Materials Thin Film Deposition Sapphire Substrate Ozone TEMAV Metal-insulator Transition Refractive Index Annealing Ultra-high Vacuum

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