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Projetar filmes de silício poroso como portadores do fator de crescimento do nervo
JoVE Journal
生物工学
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JoVE Journal 生物工学
Designing Porous Silicon Films as Carriers of Nerve Growth Factor

Projetar filmes de silício poroso como portadores do fator de crescimento do nervo

DOI:
10.3791/58982-v

•

10:12 min

•

January 25, 2019

•

, , ,
1Department of Biotechnology and Food Engineering,Technion – Israel Institute of Technology, 2Faculty of Engineering,Bar-Ilan University, 3Bar-Ilan Institute of Nanotechnologies and Advanced Materials, 4Russell Berrie Nanotechnology Institute,Technion – Israel Institute of Technology

章

  • 00:04標題
  • 00:57Oxidized Porous Silicon (PSiO2) Carrier Fabrication
  • 02:10Nerve Growth Factor (NGF) Loading and Quantification and In Vitro NGF Release from PSiO2 Carriers
  • 04:42Cell Viability and Growth in the Presence of NGF-Loaded PSiO2 Carriers
  • 06:00Cell Differentiation Analysis
  • 07:27Results: Representative Effects of NGF-Loaded PSiO2 Carriers on Neuronal Growth and Development
  • 08:58Conclusion

概要

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Aqui, apresentamos um protocolo para projetar e fabricar filmes de silício poroso (PSi) nanoestruturados como transportadores degradáveis para o fator de crescimento do nervo (NGF). Diferenciação neuronal e consequência de PC12 células e ratos raiz dorsal neurônios do gânglio (DRG) caracterizam-se após tratamento com as transportadoras PSi NGF-carregado.

タグ

Porous SiliconNerve Growth FactorNGFCarrierBioactive ProteinReservoir ImplantFabrication ProcessElectrochemical EtchingThermal OxidationLoading SolutionELISA

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