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Tuning Oxide Properties by Oxygen Vacancy Control During Growth and Annealing
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Regolazione delle proprietà dell'ossido mediante il controllo del vuoto di ossigeno durante la crescita e la ricottura

DOI:
10.3791/58737-v

•

06:44 min

•

June 09, 2023

•

, , , , , ,
1Department of Energy Conversion and Storage,Technical University of Denmark, 2Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences

Capitoli

  • 00:05Introduction
  • 00:48Controlling Properties by Varying Growth Conditions
  • 03:26Controlling Properties by Thermal Annealing
  • 04:23Results: Electronic Properties of SrTiO3-Based Heterostructures Tuned by Growth Modifications and Annealing
  • 06:13Conclusion

Summary

Traduzione automatica

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I materiali ossidi mostrano molte proprietà esotiche che possono essere controllate regolando il contenuto di ossigeno. Qui, dimostriamo la regolazione del contenuto di ossigeno negli ossidi variando i parametri di deposizione laser pulsata ed eseguendo la postannealing. Ad esempio, le proprietà elettroniche delle eterostrutture basate su SrTiO3 sono regolate da modifiche di crescita e ricottura.

Tags

Oxygen VacancyOxide Thin FilmsDefect EngineeringStrontium TitanateSubstrate CleaningSurface TerminationThin Film DepositionGamma Alumina

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