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Die Analyse der Kontaktschnittstellen für Einzel GaN-Nanodraht-Geräte
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Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
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Die Analyse der Kontaktschnittstellen für Einzel GaN-Nanodraht-Geräte

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11:13 min

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November 15, 2013

DOI:

10.3791/50738-v

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10.3791/50738-v

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11:13 min
November 15, 2013

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1Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Summary

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Eine Technik entwickelt, die Ni / Au Kontaktmetallschichten entfernt von ihrem Substrat für die Untersuchung und Charakterisierung der Kontakt / Substrat-und Kontakt / NW-Schnittstellen der einzelnen GaN-Nanodraht-Geräten zu ermöglichen.

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GaN NanowireContact InterfaceVoid FormationContact Metal RemovalNi/Au ContactsSiO2 SubstrateContact AdhesionContact MorphologyResidual Contamination

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Herrero, A. M., Blanchard, P. T., Bertness, K. A. Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices. J. Vis. Exp. (81), e50738, doi:10.3791/50738 (2013).

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