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Fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos CdS em células solares do fino-filme do se2 de UC (em, GA)
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Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells

Fabricação do contato de nanoscale robusto entre um elétrodo de nanowire de prata e a camada do amortecedor dos CdS em células solares do fino-filme do se2 de UC (em, GA)

DOI:
10.3791/59909-v

•

09:01 min

•

July 19, 2019

•

, , , , , , ,
1Department of Materials Science and Engineering,Hanbat National University, 2Department of Materials and Manufacturing Engineering,Hanbat National University, 3Photovoltaics Laboratory,Korea Institute of Energy Research, 4Renewable Energy Engineering,University of Science and Technology, Daejeon

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:46Preparation of Mo-coated Glass by DC Magnetron Sputtering
  • 01:49CIGS Absorber Layer Deposition by Means of a Three-stage Co-evaporation
  • 03:51Growth of the CdS Buffer Layer on the CIGS Absorber Layer Using a Chemical Bath Deposition (CBD) Method
  • 05:20Fabrication of the AgNW TCE Network
  • 06:11Deposition of the 2nd CdS Layer and Characterization Techniques
  • 06:51Results: Characterization of Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells
  • 08:23Conclusion

Summary

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Neste protocolo, nós descrevemos o procedimento experimental detalhado para a fabricação de um contato de nanoescala robusto entre uma rede de nanofio de prata e a camada do amortecedor dos CDs em uma pilha solar da fino-película de CIGS.

Tags

Silver NanowireCdS Buffer LayerCu(InGa)Se2 Thin-film Solar CellsElectrical ContactSolution-based ProcessMagnetron SputteringCo-evaporationCIGS Film

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