Journal
/
/
Fabrication de robuste nanoéchelle Contact entre une électrode nanofil identaire argentée et une couche tampon CdS dans Cu(In,Ga)Se2 Cellules solaires à film mince
Journal JoVE
Ingénierie
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu.  Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Journal JoVE Ingénierie
Fabrication of Robust Nanoscale Contact between a Silver Nanowire Electrode and CdS Buffer Layer in Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells
DOI:

09:01 min

July 19, 2019

, , , , , , ,

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:46Preparation of Mo-coated Glass by DC Magnetron Sputtering
  • 01:49CIGS Absorber Layer Deposition by Means of a Three-stage Co-evaporation
  • 03:51Growth of the CdS Buffer Layer on the CIGS Absorber Layer Using a Chemical Bath Deposition (CBD) Method
  • 05:20Fabrication of the AgNW TCE Network
  • 06:11Deposition of the 2nd CdS Layer and Characterization Techniques
  • 06:51Results: Characterization of Cu(In,Ga)Se2 Thin-film Solar Cells
  • 08:23Conclusion

Summary

Traduction automatique

Dans ce protocole, nous décrivons la procédure expérimentale détaillée pour la fabrication d'un contact nanométrique robuste entre un réseau de nanofils d'argent et une couche tampon CdS dans une cellule solaire à couches minces CIGS.

Vidéos Connexes

Read Article