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Lithographie de faisceau d’électrons à un seul chiffre nanomètre avec une correction de l’Aberration Transmission Microscope électronique à balayage
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Chapitres
- 00:04Titre
- 01:03Sample Preparation for Resist Coating
- 02:27Load Sample in STEM, Map Window Coordinates, and Perform High-Resolution Focusing
- 04:54Expose Patterns Using an Aberration-Corrected STEM Equipped with a Pattern Generator System
- 06:44Resist Development and Critical Point Drying
- 08:09Results: Nanometer-Scale Lithographic Patterns in HSQ and PMMA (Positive and Negative Tone)
- 09:14Conclusion
Nous utilisons un correction de l’aberration transmission microscope électronique à balayage pour définir des modèles à un seul chiffre nanomètre dans deux faisceaux d’électrons largement utilisé résiste : poly (méthacrylate de méthyle) et hydrogène SILSESQUIOXANES. Résister à motifs peuvent être reproduits dans des matériaux de choix cible avec une fidélité à un seul chiffre nanomètre à l’aide de décollage, gravure plasma et résister à l’infiltration de substances organométalliques.
