JoVE
JoVE
Centre de ressources universitaires
Recherche
Sciences du comportement
Biochimie
Biologie
Bio-ingénierie
Recherche en cancérologie
Chimie
Biologie du développement
Ingénierie
Environnement
Génétique
Immunologie et infection
Médecine
Neurosciences
Journal JoVE
Encyclopédie des expériences JoVE
JoVE Chrome Extension
Enseignement
Biologie
Chimie
Clinical
Ingénierie
Sciences de l'environnement
Pharmacology
Physique
Psychologie
Statistiques
JoVE Core
JoVE Science Education
Manuel de laboratoire JoVE
JoVE Quiz
JoVE Business
Videos Mapped to your Course
Auteurs
Bibliothécaires
Lycées
À propos
Sign-In
S'identifier
Contactez-nous
Recherche
Journal JoVE
Encyclopédie des expériences JoVE
Enseignement
JoVE Core
JoVE Science Education
Manuel de laboratoire JoVE
Lycées
FR
EN - English
CN - 中文
DE - Deutsch
ES - Español
KR - 한국어
IT - Italiano
FR - Français
PT - Português
FR
EN - English
CN - 中文
DE - Deutsch
ES - Español
KR - 한국어
IT - Italiano
FR - Français
PT - Português
Close
Recherche
Sciences du comportement
Biochimie
Bio-ingénierie
Biologie
Recherche en cancérologie
Chimie
Biologie du développement
Ingénierie
Environnement
Génétique
Immunologie et infection
Médecine
Neurosciences
Products
Journal JoVE
Encyclopédie des expériences JoVE
Enseignement
Biologie
Chimie
Clinical
Ingénierie
Sciences de l'environnement
Pharmacology
Physique
Psychologie
Statistiques
Products
JoVE Core
JoVE Science Education
Manuel de laboratoire JoVE
JoVE Quiz
JoVE Business
Vidéos associées à vos cours
Teacher Resources
Get in Touch
Instant Trial
Log In
FR
EN - English
CN - 中文
DE - Deutsch
ES - Español
KR - 한국어
IT - Italiano
FR - Français
PT - Português
Journal
/
Ingénierie
/
单氮化镓纳米线设备分析接触界面
Journal JoVE
Ingénierie
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu.
Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Journal JoVE
Ingénierie
Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
Please note that all translations are automatically generated.
Click here for the English version.
单氮化镓纳米线设备分析接触界面
DOI:
10.3791/50738-v
•
11:13 min
•
November 15, 2013
•
Andrew M. Herrero
,
Paul T. Blanchard
,
Kris A. Bertness
1
Quantum Electronics and Photonics Division
,
National Institute of Standards and Technology
Chapitres
00:05
Titre
01:32
Wafer Preparation
03:14
Photolithography of Contact Pattern
04:55
Electron-beam Evaporation of Contact Metals
06:29
Contact Metal Lift-off and Annealing
07:38
Ni/Au Film Removal
09:04
Results: Annealed Ni/Au Films Removed with Carbon Tape
10:45
Conclusion
Summary
Traduction automatique
English (Original)
العربية (Arabic)
中文 (Chinese)
Nederlands (Dutch)
français (French)
Deutsch (German)
עברית (Hebrew)
italiano (Italian)
日本語 (Japanese)
한국어 (Korean)
português (Portuguese)
русский (Russian)
español (Spanish)
Türkçe (Turkish)
Traduction automatique
一种技术的开发,可以消除镍/金金属接触片从基底,以允许接触/基板和氮化镓单纳米线器件的接触/净重接口的检验和鉴定。
Tags
GaN Nanowire
Contact Interface
Void Formation
Contact Metal Removal
Ni/Au Contacts
SiO2 Substrate
Contact Adhesion
Contact Morphology
Residual Contamination
Article
Embed
AJOUTER À LA PLAYLIST
Usage Statistics
Vidéos Connexes
Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds
在分析微流体装置的热测量技术
铋纳米线阵列通过真空热蒸发无核增长
溶剂粘接的PMMA的制备和COP微流体装置
基于扫描光散射分析器(SLPS)的方法来量化评估来自眼内镜的前向和后向光散射
流动辅助介: 一种低成本的制备高性能溶液可纳米线器件的方法
大型单层矩形 SnSe 片的常压制备
生物医学微流体折射率匹配器件的研制
在 Cu(In、Ga)Se
2
薄膜太阳能电池中制造银纳米线电极与 CdS 缓冲层之间的强健纳米级接触
使用数字图像相关性对焊接试样共振疲劳测试中的裂纹监测
Read Article