/
/
Количественное водорода концентрации в поверхностных и интерфейсных слоев и сыпучих материалов через профилирование по глубине с анализом ядерной реакции
Se requiere una suscripción a JoVE para ver este contenido. Inicie sesión o comience su prueba gratuita.
Capítulos
- 00:05Título
- 01:29Single Crystal Surface Preparation for Nuclear Reaction Analysis (NRA) in Ultra-high Vacuum
- 08:07Surface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis Measurements
- 09:24Bulk and Interface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis: Preparation and Measurement
- 11:02Results: Nuclear Reaction Analysis Hydrogen Depth Profiles for Single Crystal Palladium and from Silicon Dioxide Films on Silicon
- 12:50Conclusion
Проиллюстрируем применение 1 H (15 N, αγ) 12 C резонансная реакция анализ ядерных (НРА) количественно оценить плотность атомов водорода на поверхности, в объеме и на границе раздела фаз слоя твердых материалов. Приповерхностный глубина водорода Профилирование Pd (110) монокристалла и SiO 2 / Si (100) стеки описан.
