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단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석
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Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
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단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석

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•

11:13 min

•

November 15, 2013

DOI:

10.3791/50738-v

DOI:
10.3791/50738-v

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11:13 min
November 15, 2013

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, ,
1Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Summary

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기술은 접촉 / 기판과 하나의 GaN 나노 와이어 장치의 접촉 / NW 인터페이스의 시험 및 특성화를 허용하기 위해, 기판에서의 Ni / AU 접촉 금속 필름을 제거하는 개발되었다.

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GaN NanowireContact InterfaceVoid FormationContact Metal RemovalNi/Au ContactsSiO2 SubstrateContact AdhesionContact MorphologyResidual Contamination

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Herrero, A. M., Blanchard, P. T., Bertness, K. A. Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices. J. Vis. Exp. (81), e50738, doi:10.3791/50738 (2013).

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