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二次イオン質量分析を用いた分離不純物の3D深さプロファイル再構成(英語)
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3D Depth Profile Reconstruction of Segregated Impurities Using Secondary Ion Mass Spectrometry
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二次イオン質量分析を用いた分離不純物の3D深さプロファイル再構成(英語)

DOI:
10.3791/61065-v

•

07:10 min

•

April 29, 2020

•

, , , ,
1Łukasiewicz Research Network-Institute of Electronic Materials Technology

Chapters

  • 00:00Introduction
  • 00:57Defect Selective Etching
  • 02:09Scanning Electron Microscopy
  • 02:50Secondary Ion Mass Spectrometry
  • 05:34Results: Oxygen Counts in a Cuboid
  • 06:29Conclusion

Summary

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提示された方法では、二次イオン質量分析に関連する測定アーチファクトを特定して解決する方法と、固体材料中の不純物/ドーパントの現実的な3D分布を取得する方法について説明します。

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Keywords: 3D Depth ProfileSegregated ImpuritiesSecondary Ion Mass SpectrometrySemiconductor TechnologyStructural DefectsEutectic MixtureDefect-selective EtchingGallium NitrideScanning Electron MicroscopySIMS Calibration

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