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横 NIPIN フォト トランジスタを用いた柔軟な画像センサーの作製
JoVE 杂志
工程学
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JoVE 杂志 工程学
Fabrication of Flexible Image Sensor Based on Lateral NIPIN Phototransistors
DOI:

09:59 min

June 23, 2018

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Chapters

  • 00:05Title
  • 00:26Si Doping and Isolation
  • 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
  • 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
  • 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
  • 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
  • 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
  • 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
  • 08:45Conclusion

Summary

自动翻译

湾曲したイメージ センサーの変形横 NIPIN フォト トランジスタ アレイを作製する詳細な方法を提案します。薄いシリコン島と伸縮金属反るから構成されるメッシュ フォームを使ってフォト トランジスタ アレイは、柔軟性と延伸を提供します。パラメーター ・ アナライザーは、作製したトランジスタの電気的特性を特徴付けます。

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