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Chapters
- 00:05Title
- 00:26Si Doping and Isolation
- 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
- 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
- 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
- 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
- 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
- 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
- 08:45Conclusion
Nous présentons une méthode détaillée pour fabriquer un tableau déformable du phototransistor Mikael latéral pour les capteurs d’images courbes. Le tableau de phototransistor avec une forme de mailles ouvertes, qui se compose des îles de silicium mince et interconnexions métalliques extensibles, apporte souplesse et extensibilité. L’analyseur de paramètre caractérise les propriétés électriques du phototransistor fabriqué.
