Um método padrão e confiável para fabricar nanoelectrónica bidimensional
Summary
O artigo tem como objetivo apresentar um procedimento de fabricação padrão e confiável para o desenvolvimento da futura baixa nanoelectrónica dimensional.
Abstract
Materiais de bidimensional (2D) tem atraído grande atenção devido a suas propriedades únicas e aplicações potenciais. Como síntese de escala da bolacha de materiais 2D é ainda em fase incipiente, os cientistas não podem depender totalmente técnicas tradicionais de semicondutores para pesquisas relacionadas. Processos delicados de localizar os materiais para definição de eletrodo precisam ser bem controlado. Neste artigo, um protocolo universal de fabricação necessários para a fabricação eletrônica de nanoescala, tal como 2D quasi-heterojunction bipolar transistor (Q-HBT) e transistores 2D volta-bloqueadas são demonstrados. Este protocolo inclui a determinação da posição material, litografia de feixe de elétron (EBL), definição do metal do elétrodo, et al. Uma narrativa passo a passo dos procedimentos de fabricação para esses dispositivos também são apresentados. Além disso, os resultados mostram que cada um dos dispositivos fabricados atingiu alto desempenho com alta repetibilidade. Este trabalho revela uma descrição detalhada do fluxo de processo para a preparação de nanoelectrónica 2D, permite que os grupos de pesquisa aceder a esta informação e pavimentar o caminho para futuras eletrônica.
Introduction
Desde últimas décadas, a humanidade vem experimentando rápida downscale no tamanho dos transistores e, consequentemente, um aumento exponencial do número de transistores em circuitos integrados (ICs). Isso mantém o progresso contínuo da tecnologia de base de silicone de óxido metálico semicondutor complementar (CMOS)1. Além disso, esta tendência atual, o tamanho e o desempenho dos dispositivos fabricados são ainda na pista com a lei de Moore, que afirma que o número de transistores em chips eletrônicos, bem como seu desempenho, duplica aproximadamente cada dois anos, a2. Transistores CMOS estão presentes na maioria, se não todos, dos dispositivos eletrônicos disponíveis no mercado e tornando-se parte integrante da vida humana. Devido a isto, existem exigências contínuas para melhorias no desempenho e tamanho dos cavacos que foram empurrando os fabricantes para continuar a seguir a trilha de lei de Moore.
Infelizmente, a lei de Moore parece estar chegando ao fim devido à quantidade de calor gerado como mais circuitos de silício é espremido em uma pequena área2. Isto pede novos tipos de materiais que podem fornecer o mesmo, se não melhor, desempenho como silício e, ao mesmo tempo, pode ser implementado em uma escala relativamente menor. Recentemente, novos materiais promissores foram temas de muitas pesquisas de ciência de materiais. Tais materiais como unidimensional (1D) carbono nanotubes3,4,5,6,7, grafeno 2D8,9,10, 11 , 12e o metal de transição dichalcogenides (TMDs)13,14,15,16,17,18, são bons candidatos que podem ser usados como substituto para o CMOS à base de silicone e continuar a trilha de lei de Moore.
Fabricação de pequenos dispositivos requer cuidadosa determinação da localização do material para prosseguir com êxito para as outras técnicas de fabricação tais como litografia e definição de eletrodo de metal. Então, o método apresentado neste artigo foi projetado para atender a essa necessidade. Em comparação com a fabricação de semicondutores tradicionais técnicas19, a abordagem apresentada neste trabalho é alfaiate-equipado para o desenvolvimento de pequenos dispositivos que precisa de mais atenção em termos de encontrar a localização do material. O objetivo desse método é confiável fabricar engenhos de nanomaterial 2D, tais como transistores 2D volta-bloqueadas e Q-HBTs, utilizando processos de fabricação padrão. Isso pode servir como uma plataforma para desenvolvimentos futuros dispositivo como que abre o caminho para a produção de dispositivos futuros avançado nano-escala.
Na seção processo, os processos de fabricação de dispositivos baseados em materiais 2D, ou seja, o Q-HBT e 2D transistor volta-bloqueadas são discutidos em detalhe. Elétron feixe padronização combinado com determinação de material local e eletrodo metal definição compreende o protocolo, desde que eles são necessários em ambos os processos mencionados. Parte 1 discute o processo de fabricação passo a passo de Q-HBTs20; e parte 2 demonstra uma abordagem universal para obter o bissulfeto de molibdênio (CVD) de deposição de vapor químico (MoS2) transistores volta-condomínio fechado de transferência para decolagem21, que foi completamente mostrado no artigo. O fluxo de processo detalhado é ilustrado na (Figura 1).
Protocol
Representative Results
Discussion
Neste artigo, são demonstrados os procedimentos detalhados de fabricação eletrônica romance baseada em 2D materiais em escala nanométrica. Desde que os procedimentos de preparação de amostra de cada aplicativo tem diferenças com o outro, os processos sobrepostos foram tratados como o protocolo. Elétron feixe padronização combinado com determinação de material local e definição de eletrodo metal serve assim como o protocolo aqui. Entre os dois tipos de dispositivos citados, apresentaram-se todo o processo d…
Disclosures
The authors have nothing to disclose.
Acknowledgements
Este trabalho foi financiado pelo Conselho Nacional de ciência, Taiwan sob contrato, não. A MAIORIA DOS 105-2112-M-003-016-MY3. Este trabalho também foi financiado em parte pelos laboratórios nacionais de dispositivo de Nano e laboratório de e-feixe de engenharia elétrica da Universidade Nacional de Taiwan.
Materials
| E-gun Evaporator | AST | PEVA 600I | |
| Au slug, 99.99% | Well-Being Enterprise Co | N/A | |
| Ti slug, 99.99% | Well-Being Enterprise Co | N/A | |
| E-beam Lithography System | Elionix | ELS7500-EX | |
| Cold Wall CVD System | Sulfur Science | SCW600S | |
| C-plane Sapphire substrate | Summit-Tech | X171999 | (0001) ± 0.2 ° one side polished |
| 100 nm SiO2/Si | Fabricated in NDL | ||
| Ammonia Solution | BASF | Ammonia Solution 28% Selectipur | |
| Molybdenum (Mo), 99.95% | Summit-Tech | N/A | |
| Tungsten (W), 99.95% | Summit-Tech | N/A | |
| Sulfur (S), 99.5% | Sigma-Aldrich | 13803 | |
| Polymethyl Methacrylate (PMMA) | Microchem | 8110788 | Use for transfer process |
| Spin Coater | Laurell | WS 400B 6NPP LITE | |
| Acetone | BASF | Acetone EL Selectipur | |
| Isopropanol (IPA) | BASF | 2-Propanol UPS | |
| Photo Resist for EBL | TOK | TDUR-P-015 | |
| Plasma Cleaner | Harrick Plasma | PDC-32G | Oxygen plasma |
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