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08:43 min
November 07, 2016
DOI:
10.3791/54651-v
この原稿は、電子的特性測定のための機能デバイスを維持するために、有機単結晶ベースの電界効果トランジスタの曲げ方法を記載しています。結果は、曲げが結晶中のため、フレキシブルエレクトロニクスのに重要である充電ホッピングレート、中の分子間隔の変化を引き起こすことを示唆しています。
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Cite this Article
Ho, M., Tao, Y. Effect of Bending on the Electrical Characteristics of Flexible Organic Single Crystal-based Field-effect Transistors. J. Vis. Exp. (117), e54651, doi:10.3791/54651 (2016).
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