Dergi
/
Mühendislik
/
تقديم SiO2/ Si Surfaces Omniphobic بواسطة نحت مواد دقيقة متشابكة بالغاز تتألف من Reentrant وDoubli Reentrant Cavities أو الأعمدة
JoVE Journal
Mühendislik
This content is Free Access.
JoVE Journal Mühendislik
Rendering SiO2/Si Surfaces Omniphobic by Carving Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant and Doubly Reentrant Cavities or Pillars
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

تقديم SiO2/ Si Surfaces Omniphobic بواسطة نحت مواد دقيقة متشابكة بالغاز تتألف من Reentrant وDoubli Reentrant Cavities أو الأعمدة

DOI:
10.3791/60403-v

•

08:02 min

•

February 11, 2020

•

, , , , , ,
1Water Desalination and Reuse Center (WDRC), Biological and Environmental Science and Engineering (BESE) Division,King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), 2Core Labs,King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)

Bölümler

  • 00:04Introduction
  • 01:08Cavity Design and Wafer Cleaning
  • 02:17Photolithography
  • 03:15Silica (SiO2) and Silicon (Si) Layer Etching
  • 04:30Thermal Oxide Growth and Etching
  • 06:00Results: Representative Wetting Behaviors of Gas-Entrapping Microtextures (GEMs)
  • 07:08Conclusion

Özet

Otomatik Çeviri

Otomatik Çeviri

يقدم هذا العمل بروتوكولات التصنيع الدقيق لتحقيق التجاويف والأعمدة مع ملامح reentrant وreentrant مضاعفة على رقاقات SiO2/ Si باستخدام التصوير الضوئي والنقش الجاف. تظهر الأسطح الدقيقة الناتجة عن ذلك طاردًا سائلًا ملحوظًا ، يتميز بشرك قوي طويل الأجل للهواء تحت السوائل الرطبة ، على الرغم من قابلية السيليكا الجوهرية للبلل.

Etiketler

SiO2/Si SurfacesOmniphobicGas-entrapping MicrotexturesReentrant CavitiesDoubly Reentrant CavitiesPillarsPhotolithographyDry EtchingMicrofabricationSilicon WaferThermal OxidePiranha SolutionHexamethyldisilazanePhotoresistSpin CoatingUV Exposure

Article

Embed

ÇALMA LİSTESİNE EKLE

Usage Statistics

İlgili Videolar

التحقيق ورسم الخرائط أسطح الكهربائي في خلايا الوقود الصلبة أكسيد

تصنيع وتوصيف الدليل الموجي الكريستال الضوئية الخفيفة بطيئة وتجاويف

تلفيق نانو هندسيا إجراء أكاسيد شفافة من ترسب الليزر النبضي

عالي السرعة الجسيمات Velocimetry صورة قرب السطوح

الاتصال أحادي الطبقة المنشطات من السيليكون السطوح والأسلاك المتناهية الصغر عن طريق المركبات الفوسفورية العضوية

تصنيع تجاويف نانوية موحدة عبر الترابط رقاقة السيليكون المباشر

زائل الميدان Photoacoustics استنادا: تقييم العقارات للبصريات على السطوح

تطور السيليكا طلاءات الجسيمات النانوية البوليستر على السطوح المعرضة لأشعة الشمس

تعزيز بركة الغليان نقل الحرارة على أسطواني السطوح مع أنماط قابل للبلل الهجين

سلسلة عملية أدوات ناعمة لحقن صب عنصر ثلاثي الأبعاد مع مايكرو الركائز

Read Article