Summary

階層型のZnO / CdSSe等ヘテロNanotreesの合成

Published: November 29, 2016
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Summary

ここでは、CdSSe等の枝が垂直配向のZnOナノワイヤ上で成長させた新たなツリー状の階層のZnO / CdSSe等のナノ構造を作製し、特徴づけます。得nanotreesは太陽エネルギー変換、および他の光電子デバイスのための潜在的な材料です。

Abstract

二段階化学蒸着手順はここで、ツリー状の階層のZnO / CdSSe等ヘテロナノ構造を作製するために使用されます。構造は、垂直に透明なサフ​​ァイア基板上に整列されたZnOナノワイヤの成長CdSSe等のブランチで構成されています。形態は、走査型電子顕微鏡により測定しました。結晶構造は、X線粉末回折分析により決定しました。 ZnO系幹とCdSSe等の枝の両方が主にウルツ鉱型の結晶構造を有しています。 CdSSe等の分岐におけるSおよびSeのモル比は、エネルギー分散型X線分光法により測定しました。 CdSSe等の枝は強い可視光吸収につながります。フォトルミネッセンス(PL)分光法は、幹や枝は、タイプIIのヘテロ接合を形成することが示されました。個々のZnOからの発光と比較した場合、PL寿命測定は、木からの発光の寿命の低下を示した茎やCdSSe等の支店およびCdSSe等とZnO間の高速電荷転送を示しています。 verti的に整列されたZnOを基板に直接電子輸送経路を提供し、可視光による光励起後の効率的な電荷分離を可能にする茎。上記の特性の組み合わせは、ZnO / CdSSe等は、太陽電池、光触媒、および光電子デバイスへの応用のための有望な候補をnanotreesなります。

Introduction

ZnOは3.3 eVのバンドギャップ(BG)、高電子移動度、大きな励起子結合エネルギー1,2を特徴II-VI半導体です。これは、光デバイス、太陽電池、光触媒に存在し、将来のアプリケーションの過多と豊富な半導体材料です。しかし、ZnOは可視スペクトル範囲におけるその適用を制限する、透明です。したがって、このような狭ギャップ半導体3、染料分子4、及び感光性ポリマー5のように可視光を吸収する材料は、しばしば可視光吸収のZnOを感作するために使用されてきました。

CdS(BG 2.43 eV)でとのCdSe(BG 1.76 eVでは)一般的なII-VI狭ギャップ半導体であり、集中的に研究されてきました。 BG及び三元合金CdSSe等の格子定数は、VI成分6,7のモル比を変えることによって調整することができます。酸化亜鉛/ CdSSe等のナノコンポジットは、効率的なphotovをもたらすことが報告されていますoltaicエネルギー変換8,9。

CdSSe等の枝の改善された可視光吸収を持つ基板に向かって垂直に配向したZnOナノワイヤの効率的な電子輸送経路を組み合わせることで、幹や枝9,10との間の効率的な電子移動につながりました。したがって、我々は、垂直配向のZnOナノワイヤはCdSSe等の枝が飾られて新しいツリー状のZnO / CdSSe等のナノ構造を、合成しました。この複合材料は、新規な太陽エネルギー変換装置のためのビルディングブロックとして作用することができます。

このプロトコルは、ZnOナノワイヤーアレイは、以前に11公表されている手順に従い、ZnOとC粉末から一段階化学気相堆積(CVD)によって、サファイア基板上に成長させる方法を記載しています。 ZnOナノワイヤの成長に続いて、CVD法の第二段階は、ZnOナノワイヤのCdSSe等の分岐を成長するために使用されます。我々は、X線粉末回折(XRD)、走査型電子顕微鏡(SEM)を用い、そして結晶構造、形態、及びZnO / CdSSe等のnanotrees(のNT)の組成を測定するためにエネルギー分散型X線分析(EDS)。分岐とステムとの間の光学的特性及び電荷キャリア移動機構は、フォトルミネッセンス(PL)分光法および時間分解PL寿命測定により研究されてきました。

Protocol

1の合成ツリー状のZnO / CdSSe等ナノ構造 サファイア基板の前処理および金コーティング 注:金膜は、酸化亜鉛ナノワイヤの成長の触媒として作用します。 超音波処理を5分間で99.5%エタノールで清浄なサファイアスライド(a面、10×10×1mmの)金スパッタリング用基板を作製しました。 スパッタコーター及び金ターゲットとサファイアスライド上に10-nmの?…

Representative Results

図1は、ZnO / CdSSe等のNTの成長メカニズムを示しています。手順は、非接触気固体(VS)成長に続いて、触媒気相 – 液相 – 固相(VLS)処理を含みました。最初のVLS工程では、ZnOとCは、金属亜鉛及び酸化炭素を生じ、Ar雰囲気中で反応させます。亜鉛は、その後、サファイア基板上に金の前駆体中に溶解します。 ZnOナノワイヤは、溶解Znおよび残留酸素から成…

Discussion

酸化亜鉛ナノワイヤ(茎)の垂直方向の配置は、基板上にエピタキシャル成長に基づいています。 ZnOナノワイヤは、サファイア12のa面の周期と一致する<0001>方向に沿って優先的に成長します。したがって、型及び基板の品質は非常に重要です。基板上の金コーティングの異なる厚さは、20ナノメートルから5ナノメートルから、試験したZnOナノワイヤの成長に有意な差を示されて?…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

著者らは、スパッタコーター機器の支援のためのXRDスペクトルとK. Bookshと彼の助けをSvilen Bobevに感謝します。

Materials

ZnO Sigma Aldrich 1314-13-2
Activated Carbon Alfa 231-153-3
CdSe Sigma Aldrich 1306-24-7
CdS Sigma Aldrich 1306-23-6
Sapphire MTI 2SP a-plane, 10 × 10 × 1 mm
Furnace Lindberg Blue M SSP
Scanning electron microscope Hitachi S5700 assembled with an Oxford Inca X-act detector
X-ray powder diffractometer  Rigaku  MiniFlex filtered Cu Kα radiation (λ=1.5418 Å)
Amplified Ti:sapphire oscillator  Coherent Mantis Coherent Legend-Elite
Single photon detection module  ID Quantique ID-100
Sputter coater Cressington 308 assembled with gold target
Fiber probe spectrometer Photon Control SPM-002
Colored Glass Filter Thorlabs FGB37-A – Ø25 mm BG40 AR Coated: 350 – 700 nm 
Compressed argon gas Keen 7440-37-1

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Li, Z., Nieto-Pescador, J., Carson, A. J., Blake, J. C., Gundlach, L. Synthesis of Hierarchical ZnO/CdSSe Heterostructure Nanotrees. J. Vis. Exp. (117), e54675, doi:10.3791/54675 (2016).

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