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Crescimento Epitaxia do feixe molecular assistido por plasma de mg3n2 e Zn3n2 filmes finos
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Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

Crescimento Epitaxia do feixe molecular assistido por plasma de mg3n2 e Zn3n2 filmes finos

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13:05 min

•

May 11, 2019

DOI:

10.3791/59415-v

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10.3791/59415-v

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13:05 min
May 11, 2019

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4 Views
,
1Department of Electrical and Computer Engineering,University of Victoria

Summary

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Este artigo descreve o crescimento de películas de epitaxial do magnésio3n2 e do Zn3n2 em carcaças de MgO pelo Epitaxy molecular plasma-ajudado do feixe com gás de n2 como a fonte do nitrogênio e a monitoração ótica do crescimento.

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Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyMg3N2Zn3N2II-V Compound SemiconductorsAnti-bixbyite Crystal StructureMBE GrowthMgO SubstrateHigh-temperature AnnealingRHEEDQuartz Crystal MicrobalanceSample DegassingSample Transfer

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Wu, P., Tiedje, T. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films. J. Vis. Exp. (147), e59415, doi:10.3791/59415 (2019).

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