Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

Peng Wu; Thomas Tiedje

doi:10.3791/59415

Journal

/

Engenharia

/

מולקולרית בסיוע מולקולרי הקרן הצמיחה הגידול של Mg₃n₂ ו Zn₃n₂ סרטים דקים

JoVE Journal
Engenharia
Author Produced

É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo. Faça login ou comece sua avaliação gratuita.

JoVE Journal Engenharia

Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg₃N₂ and Zn₃N₂ Thin Films

Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

מולקולרית בסיוע מולקולרי הקרן הצמיחה הגידול של Mg₃n₂ ו Zn₃n₂ סרטים דקים

7,393 Views

•

13:05 min

•

May 11, 2019

DOI:

10.3791/59415-v

DOI:

10.3791/59415-v

•

13:05 min

May 11, 2019

•

4 Views

Peng Wu¹, Thomas Tiedje¹

¹Department of Electrical and Computer Engineering,University of Victoria

Summary

מאמר זה מתאר את הצמיחה של הסרטים האפיציריים של Mg₃n₂ ו zn₃N₂ על mgo מצעים על ידי בסיוע פלזמה מולקולרי קרן הקורה עם N₂ גז כמו מקור החנקן וניטור הצמיחה האופטית.

Explore More Videos

Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy Mg3N2 Zn3N2 II-V Compound Semiconductors Anti-bixbyite Crystal Structure MBE Growth MgO Substrate High-temperature Annealing RHEED Quartz Crystal Microbalance Sample Degassing Sample Transfer

Read Article

מולקולרית בסיוע מולקולרי הקרן הצמיחה הגידול של Mg3n2 ו Zn3n2 סרטים דקים

Summary

Automatically generated

Explore More Videos

מולקולרית בסיוע מולקולרי הקרן הצמיחה הגידול של Mg₃n₂ ו Zn₃n₂ סרטים דקים