/
/
Asistida por plasma Molecular Beam epitaxia de N-polar InAlN de barrera de transistores de alta movilidad de electrones
É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo. Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
Asistida por plasma Molecular Beam epitaxia de N-polar InAlN de barrera de transistores de alta movilidad de electrones
8,367 Views
•
10:31 min
•
November 24, 2016
DOI:
Summary
Automatically generated
epitaxia de haces moleculares se utiliza para producir transistores InAlN barreras de alta movilidad de electrones-N-polares (HEMT). De control de la preparación de la oblea, condiciones de crecimiento y estructura de capa epitaxial resultados en capas InAlN lisas, de composición homogénea y HEMTs con movilidad tan alto como 1.750 cm2 / V ∙ seg.
Read Article
Cite this Article
Hardy, M. T., Storm, D. F., Katzer, D. S., Downey, B. P., Nepal, N., Meyer, D. J. Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors. J. Vis. Exp. (117), e54775, doi:10.3791/54775 (2016).
Copy