/
/
Kvantifisering av hydrogen Konsentrasjonene i overflate og Interface Layers og bulk materialer gjennom Dybde Profilering med Nuclear Reaction Analysis
É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo. Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
Capítulos
- 00:05Título
- 01:29Single Crystal Surface Preparation for Nuclear Reaction Analysis (NRA) in Ultra-high Vacuum
- 08:07Surface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis Measurements
- 09:24Bulk and Interface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis: Preparation and Measurement
- 11:02Results: Nuclear Reaction Analysis Hydrogen Depth Profiles for Single Crystal Palladium and from Silicon Dioxide Films on Silicon
- 12:50Conclusion
Vi illustrerer anvendelse av pt H (15 N, αγ) 12 C resonanskjernereaksjon analyse (NRA) for å kvantitativt vurdere densiteten av hydrogenatomene på overflaten, i volum, og ved et grensesjikt av faste materialer. Nær overflaten hydrogen dyp profilering av en Pd (110) enkelt krystall og av SiO2 / Si (100) som stabler, er beskrevet.
