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核反応分析と深さ方向分析を通じて表面・界面層とバルク材料中の水素濃度の定量
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Quantification of Hydrogen Concentrations in Surface and Interface Layers and Bulk Materials through Depth Profiling with Nuclear Reaction Analysis
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核反応分析と深さ方向分析を通じて表面・界面層とバルク材料中の水素濃度の定量

DOI:
10.3791/53452-v

•

14:11 min

•

March 29, 2016

•

, , , ,
1Institute of Industrial Science,The University of Tokyo, 2Micro Analysis Laboratory, Tandem accelerator, The University Museum,The University of Tokyo

Capítulos

  • 00:05Título
  • 01:29Single Crystal Surface Preparation for Nuclear Reaction Analysis (NRA) in Ultra-high Vacuum
  • 08:07Surface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis Measurements
  • 09:24Bulk and Interface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis: Preparation and Measurement
  • 11:02Results: Nuclear Reaction Analysis Hydrogen Depth Profiles for Single Crystal Palladium and from Silicon Dioxide Films on Silicon
  • 12:50Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

我々は、定量的に表面上に、体積で、 ​​固体材料の界面層の水素原子の密度を評価するために、12 Cの共鳴核反応分析（NRA）（αγ、15 N）1 Hの適用を示します。パラジウムの表面近傍水素深さプロファイリング（110）単結晶およびSiO 2 / Siから（100）スタックに記載されています。

Tags

Hydrogen ConcentrationNuclear Reaction AnalysisDepth ProfilingSurface And Interface LayersBulk MaterialsHydrogen StorageFuel CellsHydrogenation CatalystsSemiconductor TechnologyPalladiumLow Energy Electron DiffractionAuger Electron Spectroscopy

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