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Electron Canalização Contraste de imagem para Rápido III-V heteroepitaxiais Caracterização

JoVE Journal
Engenharia

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Electron Channeling Contrast Imaging for Rapid III-V Heteroepitaxial Characterization

Electron Canalização Contraste de imagem para Rápido III-V heteroepitaxiais Caracterização

10,768 Views

•

07:50 min

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July 17, 2015

DOI:

10.3791/52745-v

DOI:

10.3791/52745-v

•

07:50 min

July 17, 2015

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3 Views

Julia I. Deitz, Santino D. Carnevale, Steven A. Ringel, David W. McComb, Tyler J. Grassman²

¹Department of Materials Science and Engineering,The Ohio State University, ²Department of Electrical and Computer Engineering,The Ohio State University, ³Institute of Materials Research,The Ohio State University

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Electron Channeling Contrast Imaging ECCI Scanning Electron Microscope SEM III-V Heteroepitaxial Misfit Dislocations GaP Si(001)Plan-view Transmission Electron Microscopy PV-TEM Defect Characterization Critical Thickness Threading Dislocations Stacking Fault

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