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Die Analyse der Kontaktschnittstellen für Einzel GaN-Nanodraht-Geräte
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Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
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Die Analyse der Kontaktschnittstellen für Einzel GaN-Nanodraht-Geräte

DOI:
10.3791/50738-v

•

11:13 min

•

November 15, 2013

•

, ,
1Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Capítulos

  • 00:05Título
  • 01:32Wafer Preparation
  • 03:14Photolithography of Contact Pattern
  • 04:55Electron-beam Evaporation of Contact Metals
  • 06:29Contact Metal Lift-off and Annealing
  • 07:38Ni/Au Film Removal
  • 09:04Results: Annealed Ni/Au Films Removed with Carbon Tape
  • 10:45Conclusion

Summary

Tadução automática

Tadução automática

Eine Technik entwickelt, die Ni / Au Kontaktmetallschichten entfernt von ihrem Substrat für die Untersuchung und Charakterisierung der Kontakt / Substrat-und Kontakt / NW-Schnittstellen der einzelnen GaN-Nanodraht-Geräten zu ermöglichen.

Tags

Keywords: GaN NanowireContact InterfaceVoid FormationContact Metal RemovalNi/Au ContactsSiO2 SubstrateContact AdhesionContact MorphologyResidual Contamination

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