Summary

גשוש C<sub> 84</sub> -embedded Si המצע באמצעות סריקת בדיקה מיקרוסקופית דינאמיקה מולקולארית

Published: September 28, 2016
doi:

Summary

This paper reports the nanomaterial fabrication of a fullerene Si substrate inspected and verified by nanomeasurements and molecular dynamic simulation.

Abstract

מאמר זה מדווח מערך מעוצב C 84 -embedded מצע Si מפוברק באמצעות שיטה להרכבה עצמית מבוקרת בתא ואקום אולטרה-גבוה. המאפיינים של C 84 -embedded משטח Si, כגון טופוגרפיה ברזולוציה אטומית, צפיפות אלקטרונית מקומית של מדינות, פער אנרגית להקה, תכונות פליטת שדה, נוקשות nanomechanical, ומגנטיויות שטח, נבחנו באמצעות מגוון של טכניקות ניתוח שטח תחת אולטרה, ואקום גבוה (UHV) תנאים וכן מערכת אטמוספרי. תוצאות ניסויים להדגים את האחידות הגבוהה של C 84 -embedded Si משטח מפוברק באמצעות מנגנון ננוטכנולוגיה הרכבה עצמית מבוקר, מייצג התפתחות חשובה ביישום של תצוגת פליטת שדה (FED), ייצור מכשיר אופטו, MEMS כלי חיתוך, ובמאמצים כדי למצוא תחליף מתאים מוליכים למחצה קרביד. דינאמיקה מולקולארית (MD) שיטה עם פוטנציאל למחצה אמפירי יכול בדואר לשמש כדי לחקור את nanoindentation של 84 C -embedded מצע Si. תיאור מפורט לביצוע סימולציה MD מוצג כאן. פרטים על מחקר מקיף על ניתוח מכאני של סימולצית MD כגון כוח זח, מודולוס של יאנג, קשיחות משטח, לחץ אטומי, ומתח אטום כלולים. הלחץ האטומי ומתח פון-מיזס הפצות של מודל הכניסה ניתן לחשב לפקח מנגנון דפורמציה עם הערכת זמן ברמת האטומיסטית.

Introduction

מולקולות פולרן ואת החומרים מרוכבים הם מהווים הם ייחודיים בין ננו בשל המאפיינים המבניים שלהם מעולים, מוליכות אלקטרוניות, חוזק מכאני, ועל תכונות כימיות 1-4. חומרים אלה הוכיחו תועלת רבה במגוון תחומים, כגון אלקטרוניקה, מחשבים, טכנולוגיית תא דלק, תאים סולריים, וטכנולוגית פליטת שדה 5,6.

בין החומרים הללו, סיליקון קרביד (SiC) מרוכבים ננו-חלקיקים קבלו בזכות תשומת לב מיוחדת הפער בפס הרחב שלהם, מוליכות תרמית גבוהות ויציבות, יכולת פריצה החשמלית גבוהה, אדישות כימית. יתרונות אלה הם ברורים במיוחד התקנים אופטו, טרנזיסטורים אפקט שדה metal-oxide-מוליכים למחצה (MOSFET), דיודות פולטות אור (LEDs), ו-עוצמה גבוהה, בתדירות גבוהה, ויישומים בטמפרטורה גבוהה. עם זאת, פגמי צפיפות גבוהים נפוצים שנצפו על פני השטח של conventiסיליקון קרביד onal יכול להיות השפעה מזיקה על המבנה האלקטרוני, אפילו מוביל לכישלון מכשיר 7,8. למרות העובדה כי הבקשה של SiC נחקרה מאז 1960, בעיה לא פתורה המסוים הזה נשאר.

מטרת המחקר הנוכחי הייתה ההמצאה של C 84 -embedded heterojunction מצע Si וניתוח שלאחר מכן להשיג הבנה מקיפה של אלקטרוניים, אופטו, מכאני, מגנטי, ועל מאפייני פליטה בתחום החומרים וכתוצאה מכך. אנחנו גם התייחסנו לסוגיית באמצעות סימולציה נומרית לחזות את המאפיינים של ננו, דרך יישום הרומן של חישובי דינאמיקה מולקולארית.

Protocol

הערה: העיתון מתאר את השיטות ששימשו ביצירת מערך פולרן עצמית התאספו על פני השטח של המצע מוליכים למחצה. באופן ספציפי, אנו מציגים שיטה חדשה להכנת מצע סיליקון מוטבע פולרן לשימוש כמו פולט שדה או המצע מערכות מיקרו (MEMS), התקנים אופטו ב-טמפרטורה גבוהה, הספק גבוה, יישומים, כמו גם …

Representative Results

בשכבה של C 84 מולקולות על משטח Si סדר (111) היה מפוברק באמצעות תהליך ההרכבה העצמית מבוקר בתא UHV איור 1 מציג סדרה של תמונות טופוגרפיות נמדדת UHV-STM עם דרגות שונות של כיסוי:. (א) 0.01 ML, (ב) 0.2 מ"ל, (ג) 0.7 ML, ו- (ד) 0.9 ML. המאפיינים אלקטרוניים ואופטיים של המצע Si מוטבע 84…

Discussion

במחקר זה, אנו מדגימים את הייצור של monolayer עצמית התאסף של 84 C על מצע Si באמצעות תהליך חישול רומן (איור 1). תהליך זה יכול לשמש גם כדי להכין סוגים אחרים של מצעים מוליכים למחצה מוטבע ננו-חלקיקים. ה- C 84 -embedded המצע Si התאפיין ברמה האטומית באמצעות UHV-STM (אי…

Declarações

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

The authors would like to thank the Ministry of Science and Technology of Taiwan, for their financial support of this research under Contract Nos. MOST-102-2923-E-492- 001-MY3 (W. J. Lee) and NSC-102- 2112-M-005-003-MY3 (M. S. Ho). Support from the High-performance Computing of Taiwan in providing huge computing resources to facilitate this research is also gratefully acknowledged.

Materials

Silicon wafer Si(111) Type/Dopant: P/Boron  Resistivity: 0.05-0.1 Ohm.cm
Carbon,C84 Legend Star C84 powder, 98%
Hydrochloric acid Sigma-Aldrich 84422 RCA,37%
Ammonium Choneye Pure Chemical RCA,25%
Hydrogen peroxide Choneye Pure Chemical RCA,35%
Nitrogen  Ni Ni Air high-pressure bottle,95%
Tungsten Nilaco 461327 wire, diameter 0.3 mm, tip
Sodium hydroxide UCW 85765 etching Tungsten wire for tip,
Acetone Marcon Fine Chemicals 99920 suitable for liquid chromatography and UV-spectrophotometry
Methanol Marcon Fine Chemicals 64837 suitable for liquid chromatography and UV-spectrophotometry
UHV-SPM JEOL Ltd JSPM-4500A Ultrahigh Vacuum Scanning Tunneling Microscope and Ultrahigh Vacuum Atomic Force Microscope
Power supply  Keithley  237 High-Voltage Source-Measure Unit
SQUID Quantum desigh MPMS-7 Magnetic field strength: ± 7.0 Tesla, Temperature range: 2 ~ 400 K, Magnetic-dipole range:5 × 10^-7 ~ 300 emu
ALPS National Center for High-performance Computing, Taiwan Advanced Large-scale Parallel Supercluster, 177Tflops; 25,600 CPU cores; 73,728 GB RAM; 1074 TB storage

Referências

  1. Kroto, H. W., Heath, J. R., O’Brien, S. C., Curl, R. F., Smalley, R. E. C60: Buckminsterfullerene. Nature. 318, 162-163 (1985).
  2. Zhu, Z. P., Gu, Y. D. Structure of carbon caps and formation of fullerenes. Carbon. 34, 173-178 (1996).
  3. Margadonna, S., et al. Crystal Structure of the Higher Fullerene C84. Chem. Mater. 10, 1742-1744 (1998).
  4. Diederich, F., et al. The Higher Fullerenes: Isolation and Characterization of C76, C84, C90, C94, and C70O, an Oxide of D5h-C70. Science. 252, 548-551 (1991).
  5. Lv, Z., Deng, Z., Xu, D., Li, X., Jia, Y. Efficient organic light-emitting diodes with C60 buffer layer. Displays. 30, 23-26 (2009).
  6. Tokunaga, K. On the difference in electronic properties between fullerene C60 and C60X2. Chem. Phys. Lett. 476, 253-257 (2009).
  7. Basa, D. K., Smith, F. W. Annealing and crystallization processes in a hydrogenated amorphous Si—C alloy film. Thin Solid Films. 192, 121-133 (1990).
  8. Neudeck, P. G., Powell, J. A. Performance limiting micropipe defects in silicon carbide wafers. IEEE Electron Device Lett. 15, 63-65 (1994).
  9. Huang, C. P., Su, C. C., Ho, M. S. Intramolecular Structures of C60 and C84 Molecules on Si(111)-7×7 Surfaces by Scanning Tunneling Microscopy. Appl. Surf. Sci. 254, 7712-7717 (2008).
  10. Huang, C. P., Su, C. C., Su, W. S., Hsu, C. F., Ho, M. S. Nano-measurements of electronic and mechanical properties of fullerene embedded Si(111) surfaces. Appl. Phys. Lett. 97, 061908 (2010).
  11. Huang, C. P., Hsu, C. F., Ho, M. S. Investigation of Fullerene Embedded Silicon Surfaces with Scanning Probe Microscopy. J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 7145-7148 (2010).
  12. Huang, C. P., Su, W. S., Su, C. C., Ho, M. S. Characteristics of Si(111) surface with embedded C84 molecules. RSC Adv. 3 (111), 9234-9239 (2013).
  13. Ho, M. S., Huang, C. P. Method of forming self-assembled and uniform fullerene array on surface of substrate. US Patent. , (2015).
  14. Plimpton, S. J. Fast Parallel Algorithms for Short-Range Molecular Dynamics. J. Comp. Phys. 117, 1-19 (1995).
  15. Su, W. S., et al. Using a functional C84 monolayer to improve the mechanical properties and alter substrate deformation. RSC Adv. 5, 47498-47505 (2015).
  16. Stukowski, A. Visualization and analysis of atomistic simulation data with OVITO- the Open Visualization Tool. Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. 18, 015012 (2010).
  17. Tersoff, J. New empirical model for the structural properties of silicon. Phys. Rev. Lett. 56, 632 (1986).
  18. Stuart, S. J., Tutein, A. B., Harrison, J. A. A reactive potential for hydrocarbons with intermolecular interactions. Journal of Chemical Physics. 112, 6472 (2000).
  19. Rapaport, D. C. . The Art of Molecular Dynamics Simulations. , (1997).
  20. Chandra, N., Namilae, S., Shet, C. Local elastic properties of carbon nanotubes in the presence of Stone-Wales defects. Phys. Rev. B. 69, 094101 (2004).
  21. Honeycutt, J. D., Andersen, H. C. Molecular Dynamics Study of Melting and Freezing of Small Lennard-Jones Clusters. J. Phys. Chem. 91, 4950 (1987).
  22. Schulz, M. J., Kelkar, A. D., Sundaresan, M. J. . Nanoengineering of Structural, Functional and Smart Materials. , 736 (2005).
  23. Ju, S. P., Wang, C. T., Chien, C. H., Huang, J. C., Jian, S. R. The Nanoindentation Responses of Nickel Surfaces with Different Crystal Orientations. Molecular Simulation. 33, 905-917 (2007).
  24. Mishin, Y., Suzuki, A., Uberuaga, B. P., Voter, A. F. Stick-slip behavior of grain boundaries studied by accelerated molecular dynamics. Phys. Rev. B. 75, (2007).

Play Video

Citar este artigo
Ho, M., Huang, C., Tsai, J., Chou, C., Lee, W. Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics. J. Vis. Exp. (115), e54235, doi:10.3791/54235 (2016).

View Video