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薄膜トランジスタの酸化アルミニウム誘電体層に及ぼす陽極化パラメータの効果

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The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

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薄膜トランジスタの酸化アルミニウム誘電体層に及ぼす陽極化パラメータの効果

DOI:

10.3791/60798-v

•

12:32 min

•

May 24, 2020

•

Tiago C. Gomes*¹, Dinesh Kumar*², Neri Alves*¹, Jeff Kettle*², Lucas Fugikawa-Santos*³

¹School of Technology and Sciences,São Paulo State University – UNESP, ²Scholl of Electronic Engineering,Bangor University, ³Institute of Geosciences and Exact Sciences,São Paulo State University – UNESP

Chapters

00:00Introduction
02:48Preparation of the Electrolytic Solution
03:55Substrate Cleaning
05:24Al Gate Electrode Evaporation
06:31Anodization of the Al Layer
07:41ZnO Active Layer Deposition
08:38Drain and Source Electrodes Deposition
09:36TFT Electrical Characterization
10:09Results
11:22Conclusion

Summary

자동 번역

酸化亜鉛薄膜トランジスタ(TfT)の酸化アルミニウム誘電体層の成長のための陽極酸化パラメータは、電気的パラメータ応答に及ぼす影響を決定するために変化する。分散分析(ANOVA)は、実験のプラケット・バーマン計画(DOE)に適用され、デバイス性能の最適化をもたらす製造条件を決定します。

Tags

Aluminum Oxide Anodization Thin-film Transistors Dielectric Layer Electrolytic Solution Substrate Cleaning Aluminum Electrode Deposition Anodization Process Electrical Characterization Plackett-Burman Design Of Experiments

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