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प्लाज़्मा-असिस्टेड आण्विक बीम इपिटैक्सी वृद्धि की वृद्धि मघ32 तथा द द32 पतली फिल्में
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Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films

प्लाज़्मा-असिस्टेड आण्विक बीम इपिटैक्सी वृद्धि की वृद्धि मघ32 तथा द द32 पतली फिल्में

DOI:

13:05 min

May 11, 2019

,

Capitoli

  • 00:00Titolo
  • 00:57MgO Substrate Preparation
  • 01:50Operation of VG V80 MBE
  • 02:13Substrate Loading
  • 04:04Metal Flux Measurements
  • 05:59Nitrogen Plasma
  • 06:51In-situ Laser Light Scattering
  • 08:35Growth Rate Determination
  • 09:13Risultati
  • 10:46Conclusion

Summary

Traduzione automatica

यह आलेख वर्णन करता है कि च्32 तथा द द32 की अधिअक्षीय फिल्मों की वृद्धि, प्जो पर प्जो उपस्थैत्य द्वारा प्यूज ण् 2 नाइट्रोजन स्रोत तथा प्रकाशिक वृद्धि निगरानी के रूप में छ2 गैस के साथ आण्विक किरण पुस् तककास द्वारा किया गया है।

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