Summary

Cプロービング<sub> 84</sub>走査型プローブ顕微鏡および分子動力学を用いたSi基板を-embedded

Published: September 28, 2016
doi:

Summary

This paper reports the nanomaterial fabrication of a fullerene Si substrate inspected and verified by nanomeasurements and molecular dynamic simulation.

Abstract

本稿では報告アレイ設計C 84は、Si基板を超高真空チャンバ内で制御自己組織化法を用いて作製-embedded。 C 84の特性は、状態の局所電子密度、バンドギャップエネルギー、電界放出特性、ナノ剛性、表面磁性が超下表面分析、様々な技術を用いて調べた、そのような原子分解能地形として、Si表面を-embedded高真空(UHV)条件だけでなく、大気のシステム。実験結果は、C 84の高い均一性は、Si表面が制御自己組織化ナノ機構を使用して製造-embeddedフィールドエミッションディスプレイ(FED)、光電子デバイスの製造、切削工具MEMSの応用において、努力において重要な発展を示し実証しますカーバイド半導体のための適切な代替品を見つけることができます。半経験的ポテンシャルと分子動力学(MD)メソッドは、bはできC 84のナノインデンテーションを研究するために使用した電子は、Si基板を-embedded。 MDシミュレーションを実行するための詳細な説明はここに提示されています。このような押し込み力、ヤング率、表面剛性、原子ストレス、および原子株とMDシミュレーションの機械的分析に関する総合的研究のための詳細が含まれています。インデントモデルの原子ストレスおよびフォン・ミーゼスひずみ分布は、原子レベルでの時間評価の変形メカニズムを監視するために計算することができます。

Introduction

フラーレン分子及びそれらが含む複合材料は、その優れた構造特性、電気伝導性、機械的強度、および化学的性質1-4によるナノ材料の中で独特です。これらの材料は、電子機器、コンピュータ、燃料電池技術、太陽電池、電界放出技術5,6のような分野の範囲内の非常に有益であることが証明されています。

これらの中でも、炭化シリコン(SiC)、ナノ粒子複合体は、その広いバンドギャップ、高い熱伝導性及び安定性、高い絶縁破壊能力、及び化学的不活性に特に注意のおかげを受けています。これらの利点は、光電子デバイス、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、発光ダイオード(LED)、高電力、高周波、及び高温の用途において特に明らかです。しかしながら、高密度の欠陥は、一般的にconventiの表面上に観察さonal炭化ケイ素も装置故障7,8につながる、電子構造に有害な影響を有し得ます。 SiCのアプリケーションは1960年以来研究されてきたという事実にもかかわらず、この特定の未解決の問題が残ります。

本研究の目的は、C 84の製造は、得られる材料の電子、光電子、機械、磁気、電界放出特性の総合的な理解を得るために、Si基板のヘテロ接合とその後の分析を-embeddedました。我々はまた、分子動力学計算の新規のアプリケーションを介して、ナノ材料の特性を予測する数値シミュレーションを使用しての問題を取り上げました。

Protocol

注:用紙が半導体基板の表面上に自己組織化フラーレン・アレイの形成に使用される方法の概要を説明します。具体的には、微小電気機械システム(MEMS)における電界エミッタまたは基板として使用するためのフラーレン内蔵シリコン基板を製造するための新規な方法、および高温、高出力、アプリケーションと高中で光電子デバイスを提供します-frequencyデバイス9-13。 <p class="jo…

Representative Results

。乱れたSi(111)表面上のC 84分子の単分子層は、 図1のUHVチャンバ内に制御自己組織化プロセスを用いて製造カバレージの種々の程度でUHV-STMによって測定トポグラフィ画像の系列を示した:(A) 0.01 ML、(B)0.2 ML(C)0.7 ML、および(d)0.9 ML。 C 84埋め込まれたSi基板の電子的及び光学的特性はまた、STM及びPL( 図2)のような表面分析技術の様々な?…

Discussion

本研究では、新規のアニール処理を経て、Si基板上にC 84の自己組織化単分子膜( 図1)の製造を実証します。このプロセスはまた、ナノ粒子に埋め込まれた半導体基板の他の種類を調製することができます。 C 84は、Si基板をUHV-STM( 図2)、電界発光分光計、フォトルミネッセンス分光、MFMとSQUID( 図3)を使用して原子…

Divulgazioni

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

The authors would like to thank the Ministry of Science and Technology of Taiwan, for their financial support of this research under Contract Nos. MOST-102-2923-E-492- 001-MY3 (W. J. Lee) and NSC-102- 2112-M-005-003-MY3 (M. S. Ho). Support from the High-performance Computing of Taiwan in providing huge computing resources to facilitate this research is also gratefully acknowledged.

Materials

Silicon wafer Si(111) Type/Dopant: P/Boron  Resistivity: 0.05-0.1 Ohm.cm
Carbon,C84 Legend Star C84 powder, 98%
Hydrochloric acid Sigma-Aldrich 84422 RCA,37%
Ammonium Choneye Pure Chemical RCA,25%
Hydrogen peroxide Choneye Pure Chemical RCA,35%
Nitrogen  Ni Ni Air high-pressure bottle,95%
Tungsten Nilaco 461327 wire, diameter 0.3 mm, tip
Sodium hydroxide UCW 85765 etching Tungsten wire for tip,
Acetone Marcon Fine Chemicals 99920 suitable for liquid chromatography and UV-spectrophotometry
Methanol Marcon Fine Chemicals 64837 suitable for liquid chromatography and UV-spectrophotometry
UHV-SPM JEOL Ltd JSPM-4500A Ultrahigh Vacuum Scanning Tunneling Microscope and Ultrahigh Vacuum Atomic Force Microscope
Power supply  Keithley  237 High-Voltage Source-Measure Unit
SQUID Quantum desigh MPMS-7 Magnetic field strength: ± 7.0 Tesla, Temperature range: 2 ~ 400 K, Magnetic-dipole range:5 × 10^-7 ~ 300 emu
ALPS National Center for High-performance Computing, Taiwan Advanced Large-scale Parallel Supercluster, 177Tflops; 25,600 CPU cores; 73,728 GB RAM; 1074 TB storage

Riferimenti

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Citazione di questo articolo
Ho, M., Huang, C., Tsai, J., Chou, C., Lee, W. Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics. J. Vis. Exp. (115), e54235, doi:10.3791/54235 (2016).

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