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基于混合相位a-VOx的不对称横杆的偏置和制造现场传输电子显微镜
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In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx
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基于混合相位a-VOx的不对称横杆的偏置和制造现场传输电子显微镜

DOI:
10.3791/61026-v

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09:49 min

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May 13, 2020

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, ,
1Functional Materials and Microsystems Research Group and the Micro Nano Research Facility,RMIT University, 2RMIT Microscopy and Microanalysis Facility,RMIT University

Chapitres

  • 00:04Introduction
  • 00:52Fabrication Process and Electrical Characterization
  • 02:33Biasing Chip Mounting on Gridbar
  • 03:14Lamella Preparation and Biasing Chip Mounting
  • 06:50In Situ Transmission Electron Microscopy (TEM)
  • 07:42Results: Representative In Situ Electrical TEM
  • 09:04Conclusion

Summary

Traduction automatique

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这里介绍了一个协议，用于分析纳米结构的变化，在原位偏置与传输电子显微镜 （TEM） 堆叠金属绝缘体金属结构。它在下一代可编程逻辑电路和神经微敏硬件的电阻开关横杆中具有显著应用，可揭示其基本操作机制和实际适用性。

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In-situ Transmission Electron MicroscopyBiasingCrossbar DevicesAmorphous Vanadium OxideNano-structural ChangesMetal-insulator-metal DevicePhotolithographyPhysical Vapor DepositionLift-offBiasing ChipGridbar

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