Journal
/
Chimie
/
U2O5 Film Vorbereitung über UO2 Ablagerung von Gleichstrom-Sputtern und aufeinanderfolgenden Oxidation und Reduktion mit atomarem Sauerstoff und atomarer Wasserstoff
Journal JoVE
Chimie
This content is Free Access.
Journal JoVE Chimie
U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

U2O5 Film Vorbereitung über UO2 Ablagerung von Gleichstrom-Sputtern und aufeinanderfolgenden Oxidation und Reduktion mit atomarem Sauerstoff und atomarer Wasserstoff

7,674 Views

•

12:05 min

•

February 21, 2019

DOI:

10.3791/59017-v

DOI:
10.3791/59017-v

•

12:05 min
February 21, 2019

•

1 Views
, , ,
1European Commission, Joint Research Centre,Directorate for Nuclear Safety and Security

Summary

Automatically generated

Dieses Protokoll stellt die Vorbereitung der U2O5 Dünnfilme erhalten in Situ im Ultra-Hochvakuum. Der Prozess umfasst Oxidation und Reduktion von UO2 Filme mit atomarem Sauerstoff und atomarer Wasserstoff, beziehungsweise.

Explore More Videos

U2O5UO2Thin FilmSputteringOxidationReductionAtomic OxygenAtomic HydrogenUranium OxidesSurface CompositionX-ray Photoelectron SpectroscopyNitridesCarbidesUltra-high VacuumSample PreparationGold SubstrateLoading ChamberVacuum System

Read Article

Cite this Article

Gouder, T., Huber, F., Eloirdi, R., Caciuffo, R. U2O5 Film Preparation via UO2 Deposition by Direct Current Sputtering and Successive Oxidation and Reduction with Atomic Oxygen and Atomic Hydrogen. J. Vis. Exp. (144), e59017, doi:10.3791/59017 (2019).

Download .ris file

Copy

Share Video

.

Copy