Journal
/
/
等离子体辅助分子束外延法制备的锌极性 BeMgZnO/氧化锌异质结构肖特基二极管的制备
Journal JoVE
Ingénierie
This content is Free Access.
Journal JoVE Ingénierie
Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

等离子体辅助分子束外延法制备的锌极性 BeMgZnO/氧化锌异质结构肖特基二极管的制备

7,287 Views

14:16 min

October 23, 2018

DOI:

14:16 min
October 23, 2018

6 Views
, , , , ,

Summary

Automatically generated

实现高品质肖特基接触是异质结构场效应晶体管 (HFETs) 实现高效栅极调制的必要条件。本文介绍了基于 GaN 模板的等离子体辅助分子束外延生长的高浓度二维电子气体 (2DEG) 的锌极性 BeMgZnO/氧化锌异质结构中肖特基二极管的制备方法和特点。

Read Article