/

/

הכנת שטח גדול אנכי 2D קריסטל הטרו-מבנים באמצעות Sulfurization של מתכות מעבר סרטים עבור ייצור המכשיר

Journal JoVE
Ingénierie

Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu. Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.

Journal JoVE Ingénierie

Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

הכנת שטח גדול אנכי 2D קריסטל הטרו-מבנים באמצעות Sulfurization של מתכות מעבר סרטים עבור ייצור המכשיר

9,029 Views

•

08:50 min

•

November 28, 2017

DOI:

10.3791/56494-v

DOI:

10.3791/56494-v

•

08:50 min

November 28, 2017

•

1 Views

Chong-Rong Wu², Tung-Wei Chu³, Kuan-Chao Chen², Shih-Yen Lin²

¹Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, ²Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, ³Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Tags

2D Crystal Heterostructures Vertical 2D Materials Sulfurization Transition Metal Films Device Fabrication RF Sputtering Sapphire Substrate Molybdenum Target Sulfur Powder Tube Furnace Argon Gas Molybdenum Disulfide Tungsten Target

Read Article