Anodizations רב השטח בו זמנית ולהתנתקות הטיות הפוכה כמו מדרגות של אנודי אלומיניום תחמוצות ב גופרתית, חומצה אוקסלית אלקטרוליט

AAOs אשר נוצרו על ידי אלגון המצע Al באלקטרוליט חומצי, משכו עניין רב מגוונות יסוד במדע ובתעשייה, לדוגמה, קשה תבניות עבור צינורות/nanowires^{1,2,3 , 4 , 5}, האנרגיה אחסון התקנים^6,7,8,9, חישה ביו^10,11, סינון יישומים^{12,13 , 14}, מסיכות מתאדים ו/או תצריב^15,16,17, ו לחות קיבולי חיישנים^{18,19,20,21 ,22}, בשל מבנה חלת דבש עצמית המסודרת שלהן, יחס גבוה של nanopores ולאחר מעולה תכונות מכניות²³. להחלת את nanoporous AAOs ליישומים שונים אלו, הם צריכים להיות בודד טפסים עם מאוד לטווח מערך nanopores מסודרות. בהקשר זה, אסטרטגיות להשגת AAOs חייב לשקול היווצרות (אלגון) והן ההפרדה הליכים (ניתוק).

מנקודת מבט של היווצרות AAO, anodization מתון (להלן כאל MA) היה וותיקה תחת אלקטרוליטים חומצי גופרתית אוקסלית, פוספט^{23,24,25,26 ,27}. עם זאת, תואר שני תהליכים הציג נמוך-תשואות של ייצור AAO עקב שיעור הצמיחה האיטית שלהם תלוי בעוצמות נמוכות יחסית של מתח אנודי, אשר להתדרדר עוד יותר באמצעות תהליך בן שני שלבים MA לשיפור תקופתיות של nanopores^{28 ,29}. לפיכך, קשה anodization (HA) טכניקות הוצעו כחלופות של תואר שני על ידי החלת המתחים אנודי גבוה יותר (אלקטרוליט חומצה אוקסלית גופרתית) או באמצעות מרוכז יותר אלקטרוליט (חומצה זרחתית)^{30,31, 32,33,34,35,36,37,38,39,40}. חה תהליכים להראות שיפורים ברורים של שיעורי צמיחה, כמו גם הסדרי תקופתיים, והואיל וכתוצאה מכך AAOs הפך להיות יותר עדין, הצפיפות של nanopores היו מופחתים³⁰. בנוסף, מערכת קירור יקרים נדרש יחלוף החימום של ג’ול הנגרמת על ידי צפיפות זרם גבוה³¹. תוצאות אלו להגביל את תחולת פוטנציאלי AAOs באמצעות תהליכים HA.

הפרדת AAO מפני השטח המתאים צלחת באל, תחריט כימי סלקטיבי של המצע Al הנותרים היה מנוצל נרחב ביותר בתהליכים אמא וגם HA משימוש בכימיקלים רעילים, כגון נחושת כלורי^{35,39 ,41,42} או כספית כלוריד^{16,17,43,44,45,46, 47 , 48 , 49}. עם זאת, שיטה זו מעוררת תופעות לוואי חסרון, למשל, זמן תגובה ארוך יותר פרופורציונליים לעובי הנותרים באל, זיהום של AAO על ידי יונים של מתכות כבדות, שאריות מזיקות לסביבות הגוף האנושי/טבעי , ושימוש לא יעיל של משאבים בעלי ערך. לכן, נעשו ניסיונות רבים למימוש ניתוק ישיר AAO. למרות המתח cathodic-delamination-^50,–⁵¹ והן מתח אנודי דופק ניתוק^{7,41,42,52, 53,54,55} להציג ההצטיינות מלאכותית הנותרים המצע הניתנים לשימוש חוזר, הטכניקה לשעבר לוקח זמן כמעט דומות עם אלה שיטות צריבה כימית⁵⁰. על אף האמור ההקטנה ברורה של זמן העיבוד, כימיקלים מזיקים, תגובתי, דוגמאות butanedione ו/או חומצה על-כלורית, שימשו ניתוק אלקטרוליטים, טכניקות האחרון⁵⁵, שם ניקיון נוסף הליך נדרש בשל האלקטרוליט משתנה בין ההליך אילגון לפרופילי אלומיניום, התולש. במיוחד, התולש התנהגויות ואיכות AAOs מנותקת להשפיע קשות את העובי. במקרה AAO בעובי דק יחסית, האחד מנותקת עשוי להכיל סדקים ו/או פתחים.

כל הגישות ניסיוני המפורטים לעיל הוחלו על “יחיד-משטח” של הדגימה באל, למעט למטרות הגנה/הנדסת משטח, תכונה זו המגבלות קריטי המוצגים טכנולוגיות המקובלת של הזיוף AAO מבחינת התשואה, כמו גם processibility, אשר גם השפעות תחולת^56,AAOs⁵⁷פוטנציאליים.

כדי לספק את הביקושים בתחומים הקשורים AAO במונחים של תפוקה גבוהה, נתיישב, גישות טכנולוגיות ירוקות, דיווחנו בעבר על SMSA וניתוק ישיר דרך SRBs תחת גופרתית⁵⁶ וחומצה אוקסלית⁵⁷ אלקטרוליט, בהתאמה. זה עובדה ידועה כי ברבים AAOs יכול להיווצר על משטחים מרובים של המצע Al שקוע לתוך אלקטרוליטים חומצי. עם זאת, SRBs, הבחנה מפתח של השיטות שלנו, לאפשר בניתוק של AAOs האלה של משטחים מרובה המקביל של המצע Al באלקטרוליט חומצי באותו המשמש את SMSAs המציין ייצור המוני, פשטות, וירוק טכנולוגי המאפיינים. ברצוננו לציין כי ניתוק מבוסס-SRBs היא אסטרטגיית אופטימלית עבור AAOs ברבים מפוברק על ידי^56,SMSAs⁵⁷ , אפילו חוקי עבור דקים יחסית עוביים של AAOs⁵⁷ בהשוואה delamination cathodic (כלומר, הטיה הפוכה קבוע) על יחיד-השטחf “> 51. לבסוף, רצף יחידה המורכבת SMSAs ברצף בשילוב עם ניתוק מבוסס SRBs ניתן ליישם שוב ושוב המצע Al אותו, הימנעות פרוצדורות מסובכות וכימיקלים רעילים/תגובתי, מה שמחזק את היתרונות של שלנו אסטרטגיות, מבטיח גם את השימוש יעיל של משאבים טבעיים.