Journal
/
Ingeniería
/
Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств
JoVE Revista
Ingeniería
Se requiere una suscripción a JoVE para ver este contenido.  Inicie sesión o comience su prueba gratuita.
JoVE Revista Ingeniería
Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств

DOI:
10.3791/50738-v

•

11:13 min

•

November 15, 2013

•

, ,
1Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Capítulos

  • 00:05Título
  • 01:32Wafer Preparation
  • 03:14Photolithography of Contact Pattern
  • 04:55Electron-beam Evaporation of Contact Metals
  • 06:29Contact Metal Lift-off and Annealing
  • 07:38Ni/Au Film Removal
  • 09:04Results: Annealed Ni/Au Films Removed with Carbon Tape
  • 10:45Conclusion

Summary

Traducción Automática

Traducción Automática

Методика была разработана, который удаляет Ni / Au контакт металлических пленок от субстрата, чтобы для рассмотрения и определения характеристик контактной / подложки и контакт / NW интерфейсов отдельных устройств GaN нанопроволоки.

Tags

GaN NanowireContact InterfaceVoid FormationContact Metal RemovalNi/Au ContactsSiO2 SubstrateContact AdhesionContact MorphologyResidual Contamination

Article

Embed

Añadir a la lista de reproducción

Usage Statistics

Videos relacionados

Монослоя Связаться легирования кремния поверхностей и нанопроволок Использование фосфорорганических соединений

Тепловые методы измерения в аналитической микрофлюидных устройств

Без косточек Рост Висмут Nanowire массив с помощью вакуумного термического испарения

Растворитель Связующие для изготовления ПММА и КС микрожидком устройств

Методика сканирования сканирующего рассеивателя света (SLPS) для количественной оценки рассеяния вперед и назад с помощью интраокулярных линз

При содействии потока диэлектрофореза: Низкая стоимость метод для изготовления высокой производительности решения обрабатываемых нанопроволоки устройств

Атмосферное давление изготовление большого размера однослойная прямоугольной SnSe хлопьев

Изготовление приборов рефракционной соответствует индекс для биомедицинских микрофлюидика

Изготовление Robust Nanoscale Контакт между Серебряный Nanowire Электрод и CdS буфер слоя в Cu (In,Ga)Se2 Тонкопленочные солнечные клетки

Крэк Мониторинг в резонанс усталости Тестирование сварных образцов с использованием цифровой корреляции изображения

Read Article