Summary

Fabbricazione di sensore di immagine flessibile basato su Francesca laterale fototransistori

Published: June 23, 2018
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Summary

Presentiamo un metodo dettagliato per fabbricare una matrice di fototransistor Paola deformabile laterale per sensori di immagine curvo. La matrice di fototransistor con una forma di mesh a trama larga, che si compone di isole di silicio sottile ed estensibile in metallo interconnettori, fornisce flessibilità ed elasticità. L’analizzatore di parametro caratterizza la proprietà elettrica del fabbricato fototransistor.

Abstract

Fotorivelatori flessibile sono stati intensamente studiati per l’utilizzo di sensori di immagine curvo, che sono una componente cruciale in sistemi di imaging bio-ispirati, ma rimangono diversi punti difficili, come un efficienza di assorbimento basso a causa di un sottile strato attivo e basso flessibilità. Presentiamo un metodo avanzato per fabbricare una matrice fototransistor flessibile con un miglioramento delle prestazioni elettrica. La prestazione elettrica eccezionale è guidata da una bassa corrente di buia a causa di impurità profonde doping. Interconnettori metallo estensibile e flessibile contemporaneamente offrono stabilità elettrica e meccanica in uno stato altamente deforme. Il protocollo descrive in modo esplicito il processo di fabbricazione di fototransistor utilizzando una membrana di silicio sottile. Misurando le caratteristiche I-V del dispositivo completato negli stati deformati, dimostriamo che questo approccio migliora la stabilità meccanica ed elettrica della matrice fototransistor. Ci aspettiamo che questo approccio a un fototransistor flessibile può essere ampiamente usato per le applicazioni non solo generazione imaging systems/optoelettronica, ma anche dispositivi indossabili come sensori tattili/pressione/temperatura e monitoraggi di integrità.

Introduction

Sistemi di imaging bio-ispirati possono fornire molti vantaggi rispetto alla convenzionale imaging systems1,2,3,4,5. Retina o ommatidi emisferiche è un componente notevole del sistema visivo biologico1,2,6. Un sensore di immagine curvo, che imita l’elemento critico degli occhi degli animali, può fornire una configurazione compatta e semplice dei sistemi ottici con aberrazioni di basso7. Diversi progressi delle tecniche di fabbricazione e materiali, ad esempio, l’uso di materiali intrinsecamente morbidi come organico/nanomateriali8,9,10,11, 12 e l’introduzione di strutture deformabili ai semiconduttori tra cui il silicio (Si) e germanio (Ge)1,2,3,13,14, 15,16,17, realizzare i sensori di immagine curvo. Fra loro, approcci basati su Si forniscono vantaggi intrinseci quali un’abbondanza di materiale, tecnologia matura, stabilità e superiorità ottico/elettrico. Per questo motivo, anche se Si ha rigidità intrinseca e fragilità, Si-based elettronica flessibile è stati ampiamente studiati per varie applicazioni, come ad esempio optoelettronica flessibile18,19,20 tra cui sensori di immagine curvo1,2,3e dispositivi sanitari anche indossabili21,22.

In un recente studio, abbiamo analizzato e migliorato le prestazioni elettriche di un sottile Si fotorivelatore matrice23. In quello studio, la cella ottimale singola unità della matrice fotorivelatore curvo è un tipo di Fototransistor (PTR) che è costituito da un fotodiodo e diodo di blocco. Il guadagno di giunzione base amplifica una fotocorrente generata, e quindi esibisce un percorso per migliorare una prestazione elettrica con una struttura di film sottile. Oltre la singola cella, la struttura di film sottile è adatta sopprimere una corrente di buio, che è considerata come rumore nella cellula fotoelettrica. Per quanto riguarda la concentrazione di drogaggio, una concentrazione maggiore di 1015 cm-3 è sufficiente per ottenere prestazioni eccezionali in cui le caratteristiche del diodo possono essere mantenute con un’intensità di luce sopra 10-3 W/cm2 23 . Inoltre, la singola cella PTR ha un rumore basso colonna e otticamente/elettricamente stabile proprietà rispetto a quella del fotodiodo. Basato su tali regole di progettazione, abbiamo fabbricato una matrice fotorivelatore flessibile che consiste di sottili Si PTRs utilizzando un wafer di silicio-su-isolante (SOI). In generale, una regola importante progettazione di sensori di immagine flessibile è il concetto di piano meccanico neutro che definisce la posizione attraverso lo spessore della struttura dove ceppi sono pari a zero per un arbitrariamente piccolo r24. Un altro punto cruciale è una serpentina geometria dell’elettrodo perché una forma ondulata fornisce elasticità completamente reversibile all’elettrodo. A causa di questi due concetti di design importante, la matrice di rivelatore fotoelettrico può essere flessibile ed estensibile. Esso facilita la deformazione 3D della matrice rivelatore fotoelettrico in una forma emisferica o una forma curva come la retina degli occhi animali2.

In questo lavoro, abbiamo dettaglio i processi per la fabbricazione della matrice curva PTR utilizzando processi di fabbricazione a semiconduttore (ad es., il doping, acquaforte e deposizione) e stampa di trasferimento. Inoltre, ci caratterizzano un singolo record PTR in termini di una curva-V. Oltre al metodo di fabbricazione e analisi di singole cellule, la funzionalità elettrica della matrice PTR viene analizzata stati deformati.

Protocol

Attenzione: Alcune sostanze chimiche (cioè., acido fluoridrico, tamponata ossido mordenzante, alcool isopropilico, ecc.) ai fini del presente protocollo possa essere pericoloso per la salute. Si prega di consultare tutte le schede di dati di sicurezza prima di qualsiasi preparazione del campione avviene. Utilizzare appropriati dispositivi di protezione individuale (ad es., camici, occhiali protettivi, guanti) e controlli tecnici (ad es., bagnato stazione, cappa aspirante) quando si ma…

Representative Results

Figura 3a e 3b mostrano la struttura progettata e fabbricata di NIPIN PTR considerando precedente studi2,23. L’inserto in Figura 3a esibisce una caratteristica di base V di PTR. I parametri strutturali dettagliati di PTR sono riportati nella Figura 3b. Il processo di anti-doping per un strato Si su un wafer SOI è stata condo…

Discussion

La tecnologia di fabbricazione descritta qui contribuisce in modo significativo al progresso dell’elettronica avanzata e dispositivi indossabili. I concetti fondamentali di questo approccio utilizzano una sottile membrana di Si e metallo interconnettori capace di stretching. Anche se Si è un materiale fragile e duro che può facilmente essere fratturato, uno strato molto sottile Si può ottenere una flessibilità26,27. Nel caso l’interconnettore metallo, la form…

Divulgaciones

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

Questa ricerca è stata sostenuta dal programma di scoperta di materiali creativi attraverso la National Research Foundation di Corea (NRF) finanziato dal Ministero della scienza e ICT (NRF-2017M3D1A1039288). Inoltre, questa ricerca è stata sostenuta dall’Istituto per informazioni e comunicazioni tecnologia Promozione (IITP) sovvenzione finanziata dal governo di Corea (MSIP) (No.2017000709, approcci integrati di fisicamente inclonabile primitive crittografiche utilizzando casuale laser e optoelettronica).

Materials

MBJ3 karl suss MJB3 UV400 MASK ALIGNER Mask aligner
80 plus RIE Oxford instruments Plasmalab 80 Plus for RIE ICP-RIE
80 plus PECVD Oxford instruments Plasmalab 80 Plus forPECVD, PECVD
 SF-100ND Rhabdos Co., Ltd. SF-100ND Spin coater
Polyimide Sigma-Aldrich 575771 Poly(pyromellitic dianhydride-co-4,4′-oxydianiline), amic acid solution
SOI (silicon on insulator) wafer, 8inch Soitec SOI (silicon on insulator) wafer, 8inch 8inch SOI Wafer (silicon Thickness: 1.25μm)
Acetone Duksan Pure Chemicals Co., Ltd. 3051 Acetone
Isopropyl Alcohol (IPA) Duksan Pure Chemicals Co., Ltd. 4614 Isopropyl Alcohol (IPA)
Buffered Oxide Etch 6:1 Avantor 1278 Buffered Oxide Etch 6:1
HSD150-03P Misung Scientific Co., Ltd HSD150-03P Hot plate
AZ5214 Microchemical AZ5214 Photoresist
MIF300 Microchemical MIF300 Developer
SYLGARD184 Dow Corning SYLGARD184 Polydimethylsiloxane elastomer
Hydrofluoric Acid  Duksan Pure Chemicals Co., Ltd. 2919 Hydrofluoric Acid 
CR-7 KMG Chemicals, Inc 210023 Chrome mask etchant
MFCD07370792 Sigma-Aldrich 651842 Gold etchant

Referencias

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Kim, H. M., Lee, G. J., Kim, M. S., Song, Y. M. Fabrication of Flexible Image Sensor Based on Lateral NIPIN Phototransistors. J. Vis. Exp. (136), e57502, doi:10.3791/57502 (2018).

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