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In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx

In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication ofAssimetric Crossbars Based on Mix-Phased a-VOx

DOI:
10.3791/61026-v

•

09:49 min

•

May 13, 2020

•

, ,
1Functional Materials and Microsystems Research Group and the Micro Nano Research Facility,RMIT University, 2RMIT Microscopy and Microanalysis Facility,RMIT University

Kapitel

  • 00:04Introduction
  • 00:52Fabrication Process and Electrical Characterization
  • 02:33Biasing Chip Mounting on Gridbar
  • 03:14Lamella Preparation and Biasing Chip Mounting
  • 06:50In Situ Transmission Electron Microscopy (TEM)
  • 07:42Results: Representative In Situ Electrical TEM
  • 09:04Conclusion

Summary

Automatische Übersetzung

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Apresentado aqui é um protocolo para analisar alterações nanoestruturais durante o viés in situ com a microscopia eletrônica de transmissão (TEM) para uma estrutura metal-isolador-metal empilhada. Possui aplicações significativas na troca de barras resistivas para a próxima geração de circuitos lógicos programáveis e hardware neuromimicing, para revelar seus mecanismos de operação subjacentes e aplicabilidade prática.

Tags

Keywords: In-situ Transmission Electron MicroscopyBiasingCrossbar DevicesAmorphous Vanadium OxideNano-structural ChangesMetal-insulator-metal DevicePhotolithographyPhysical Vapor DepositionLift-offBiasing ChipGridbar

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