Journal
/
/
Графен-помощник Квази-ван дер Ваальс Эпитакси из AlN фильм на нано-узорчатый сапфир субстрат для ультрафиолетового света излучающих диодов
JoVE Journal
Ingenieurwesen
Zum Anzeigen dieser Inhalte ist ein JoVE-Abonnement erforderlich.  Melden Sie sich an oder starten Sie Ihre kostenlose Testversion.
JoVE Journal Ingenieurwesen
Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes
DOI:

07:00 min

June 25, 2020

, , , , , , ,

Kapitel

  • 00:04Introduction
  • 00:40Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD) Growth of Graphene on Nano-Patterned SapphireSubstrate (NPSS) and Nitrogen (N2)-Plasma Treatment
  • 02:03Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Growth of Aluminum Nitrogen (AlN) on Graphene-NPSS and of Aluminum-Gallium-Nitrogen (AlGaN) Multiple Quantum Wells (MQW)
  • 03:08AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode (DUV-LED) Fabrication
  • 06:02Results: Representative AIN Characterization
  • 06:32Conclusion

Summary

Automatische Übersetzung

Представлен протокол для графенового роста высококачественных пленок AlN на нано-узорчатом сапфировом субстрате.

Verwandte Videos

Read Article