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誘電メタサーフェスによる等強度ビーム生成の実証

JoVE Journal
Ingenieurwesen

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Demonstration of Equal-Intensity Beam Generation by Dielectric Metasurfaces

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誘電メタサーフェスによる等強度ビーム生成の実証

DOI:

10.3791/59066-v

•

09:33 min

•

June 07, 2019

•

Gwanho Yoon, Dasol Lee, Junsuk Rho^2,3

¹Department of Mechanical Engineering,Pohang University of Science and Technology (POSTECH), ²Department of Chemical Engineering,Pohang University of Science and Technology (POSTECH), ³National Institute of Nanomaterials Technology (NINT)

Kapitel

00:04Titel
00:52Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H) on a Fused Silica Substrate by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
01:35Formation of the Chromium Etching Mask
06:53Etching Process of Hydrogenated Amorphous Silicon
07:41Results: The Fabricated Metasurface and its Polarization-independent
08:31Conclusion

Summary

Automatische Übersetzung

誘電体メタサーフェスの製造および光学特性化のためのプロトコルが提示される。この方法は、ビームスプリッタだけでなく、レンズ、ホログラム、光学マントなどの一般的な誘電体メタサーフェスの製造にも適用できます。

Tags

Metasurface Fabrication Dielectric Metasurface Equal-intensity Beam Generation PECVD PMMA Electron Beam Lithography Silicon Photonics

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