Journal
/
Ingenieurwesen
/
Теоретический расчет и экспериментальная проверка уменьшения дислокаций в эпитаксиальных слоях германия с полуцилиндрическими пустотами на кремнии
JoVE Journal
Ingenieurwesen
Zum Anzeigen dieser Inhalte ist ein JoVE-Abonnement erforderlich.  Melden Sie sich an oder starten Sie Ihre kostenlose Testversion.
JoVE Journal Ingenieurwesen
Theoretical Calculation and Experimental Verification for Dislocation Reduction in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Теоретический расчет и экспериментальная проверка уменьшения дислокаций в эпитаксиальных слоях германия с полуцилиндрическими пустотами на кремнии

DOI:
10.3791/58897-v

•

06:57 min

•

July 17, 2020

•

, , ,
1Department of Materials Engineering,The University of Tokyo, 2Department of Electrical and Electronic Information Engineering,Toyohashi University of Technology, 3Department of Materials Science and Engineering,Massachusetts Institute of Technology

Kapitel

  • 00:04Introduction
  • 00:34Experimental Verification Procedure
  • 04:29Results: Reduction of Threading Dislocation Density in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon
  • 06:12Conclusion

Summary

Automatische Übersetzung

Automatische Übersetzung

Предложены теоретические расчеты и экспериментальная проверка для снижения плотности резьбовых дислокаций (ТД) в эпитаксиальных слоях германия с полуцилиндрическими пустотами на кремнии. Представлены расчеты, основанные на взаимодействии ТД и поверхности через силу изображения, измерениях ТД и наблюдениях ТД просвечивающим электронным микроскопом.

Tags

Dislocation ReductionGermanium Epitaxial LayersSemicylindrical VoidsSiliconThreading Dislocation DensitySelective Epitaxial GrowthBoron-doped P-siliconSilicon DioxidePhotoresistBuffered Hydrofluoric AcidGermanium Growth

Article

Embed

ZUR WIEDERGABELISTE HINZUFÜGEN

Usage Statistics

Verwandte Videos

Поликристаллического кремния тонкопленочные солнечные элементы с Плазмонных повышенной световой захвата

Монослоя Связаться легирования кремния поверхностей и нанопроволок Использование фосфорорганических соединений

Селективный Площадь Модификация поверхности кремния смачиваемости импульсным УФ лазерного облучения в жидкой среде

Интеграция легкими прилипания Серебряные наноструктур в гидрогенизированное микрокристаллическая кремниевых солнечных элементов по трансферная печать

Количественное водорода концентрации в поверхностных и интерфейсных слоев и сыпучих материалов через профилирование по глубине с анализом ядерной реакции

SSVEP основе экспериментальной процедуры для мозгов Robot взаимодействия с человекоподобных роботов

Экспериментальные методы для спина и угол решены фотоэлектронная спектроскопия, в сочетании с переменной поляризации лазерного

Методы Ex Situ и In Situ исследования структурных преобразований: В случае кристаллизации металлических стекол

Изготовление магнитных наноструктур на мембраны нитрида кремния магнитный вихревой исследований с использованием методов передачи микроскопии

Кремний накренилась волоконно оптического зондирования платформа с высоким разрешением и быстрого реагирования

Read Article