액정에 자석으로 조정 Ferroelectric 편광 측정

(나) 효과, 자석 (전기) 분야에 의해 전기 분극 (자화)의 유도에 있는 magnetoelectric 연구, 새로운 유형의 센서 및 스토리지 기술 쪽으로 초점을 맞추고 있다. 최근 multiferroics^,12,3,4, 대상 시스템에 연구의 분야에서 연구 고체 재료, 무기, 유기를 포함 하 여 다양 한 유형의 확장 및 스핀-격자 커플링을 이용 하 여 금속-유기 프레임 워크 dexterously^5,6,7,,89. 그러나, 나의 실질적인 활용에 대 한 수행 되어야 하는 실내 온도 작업 자료 그들의 ME와 커플링, 아직도 어려운 문제 이며 단일 재료의 매우 제한 된 수 실 온으로 보고 되었습니다 ¹⁰까지 magnetoelectrics입니다.

액정 부분 위치 것으로 때로는 근처 순서를 소유 하는 나에 관하여 검사도 있다 최근 몇 년 동안^11,12,,1314, 자료 ¹⁵. 하나 나 액정의 장점 자료는 그들의 작업 온도 액정 단계는 일반적으로 실내 온도 주위 안정. 예를 들어 나의 액정 보고 지금까지 수직 자기 이방성과 자성 나노-혈소판 및 간단한 액정 위상으로 알려진 nematic 단계를 보여주는 액정 사이 합성 소지만 1 차원 근처 순서¹⁵. 그것은 대화 나 효과의 결합 된 혈소판 및 분자 방향 전기 분야 조작을 통해 전기 분야에 의해 자화의 유도 보여준다.

더 최근에, ME를 설치 하는 다른 독특한 전략 효과 액정에는 제안 된¹⁶. 이 전략의 초점은 smectic 레이어라고 확산된 계층 구조에서 발생 하는 1 차원 위치 순서와 카이 랄 smectic C (smc와 *) 단계를 만드는 것입니다. SmC * 단계의 한 특성은 분자 방향 벡터 n 은 지역 전기 쌍 극 자 모멘트 p에 대 한 결합 이다. 이 상관 관계 smectic 레이어 정상 n₀ 및 카이랄성 유도 (미러와 반전) 대칭 분자에서 막대 모양의 구성 분자의 기울어진된 방향의 조합에 의해 제공 됩니다. 대칭의 관점에서 전 D_∞h (소위 SmA 단계, 그림 1A)에서 대칭으로 변화 C_2h (소위 SmC 단계, 그림 1B), 그리고 대칭은 C₂ 로 감소 되도록 후자의 나누기 C_2h 의 거울 대칭 (SmC * 단계, 그림 1C에서 각 레이어를 참조 하십시오). 각 SmC * 레이어, 유한 분극의 존재는 정상 n₀ 와 n C₂ 축을 따라 허용 됩니다. N 와 p 사이 강한 커플링 액정에 ferroelectricity에 대 한 필수적입니다. SmC * 단계에서 n 정렬 레이어 레이어 (그림 1C)를 통해 helicoidal 방식에서 이며 따라서 아무 거시적인 분극. 이러한 액정에 ferroelectricity 표면 안정화 ferroelectric 액정 (SSFLC) 상태 라고 (그림 1D) n 의 균질 지향된 상태 안정 강한 표면 효과 사용 하 여 이루어집니다. 그것은 항상 ferroelectric 분극 반전 n 및 p¹⁷사이의 커플링을 통해 bi-안정적 방향 상태 전환 함께 주목 한다. 반전 효과로 SmC * 단계의 분자 방향 변경 전기 분극에 변화를 야기할 전망 이다. 통해 자기 이방성 자기 요소 액정 분자와 고체 결정 상태에서 보다 약한 분자 상호 작용으로 인해 액정 상태에서 n 의 유연성에 향기로운 반지에 회전에 의해 발생, n 은 자기장에 의해 또한 조정할 수 따라서, SmC * 단계 SSFLC 상태와 유사한 마그네틱 필드 유도 균질 지향 상태로 변환할 수 있습니다. 따라서, 직접 나 효과 자기장에 의해 전기 분극의 유도 거시적인 전기 분극의 개발은 n p, 모든 층에서 결합의 균질 맞춤에 의해 유도 된으로 이루어집니다.

우리 커플링 및 ME를 감지 하는 방법론의 조사에 대 한 액정 셀을 준비 하는 절차를 소개 효과. 방법-액정 셀의 준비에서 보고 되었다에 대 한 선발 이전¹⁸. 여기, 우리는 유 전체와 나이 방법은 측정을 수정. 여기서 설명 하는 방법으로 우리는 실 온에서 SmC * 단계를 보여주는 액정에 자석으로 조정 전기 분극, 즉, 직접 나 효과, 감지.