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Analisi quantitativa del sito atomico dei difetti funzionali dei droganti/punti nei materiali cristallini mediante microanalisi potenziata dal canale elettronico
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化学
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JoVE 杂志 化学
Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis
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Analisi quantitativa del sito atomico dei difetti funzionali dei droganti/punti nei materiali cristallini mediante microanalisi potenziata dal canale elettronico

DOI:
10.3791/62015-v

•

07:24 min

•

May 10, 2021

•

,
1Electron Nanoscopy Division, Advanced Measurement Technology Center, Institute of Materials & Systems for Sustainability,Nagoya University

Chapters

  • 00:04Introduction
  • 00:59Transmission Electron Microscopy (TEM) Alignment for Beam-Rocking
  • 02:36Incident Beam Collimation and Pivot Point Setup
  • 03:47Electron-Channeling Pattern (ECP) Acquisition
  • 04:30Energy-Dispersive X-Ray Analysis
  • 05:10Results: Representative ECP and ICP Emission Imaging
  • 06:46Conclusion

Summary

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Forniamo una descrizione generale dei metodi quantitativi di microanalisi per stimare le occupazioni del sito delle impurità e dei loro stati chimici sfruttando i fenomeni di canalizzazione elettronica in condizioni di oscillazione del fascio di elettroni incidente, che estraggono in modo affidabile informazioni da specie minoritarie, elementi leggeri, posti vacanti di ossigeno e altri difetti punti / linea / planari.

Tags

Quantitative AnalysisAtomic-siteFunctional DopantsPoint DefectsCrystalline MaterialsElectron-channeling-enhanced MicroanalysisEnergy-dispersive X-ray SpectroscopyElectron Energy-loss SpectroscopyLattice DefectsVacanciesInterstitialsGrain BoundariesTransmission Electron MicroscopySTEMOptical Axis AlignmentBeam RockingCaustic SpotCondenser Aperture

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