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通过电子引导增强微分析对晶体材料中功能性多裤/点缺陷的定量原子场分析
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Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis
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通过电子引导增强微分析对晶体材料中功能性多裤/点缺陷的定量原子场分析

DOI:
10.3791/62015-v

•

07:24 min

•

May 10, 2021

•

,
1Electron Nanoscopy Division, Advanced Measurement Technology Center, Institute of Materials & Systems for Sustainability,Nagoya University

Chapters

  • 00:04Introduction
  • 00:59Transmission Electron Microscopy (TEM) Alignment for Beam-Rocking
  • 02:36Incident Beam Collimation and Pivot Point Setup
  • 03:47Electron-Channeling Pattern (ECP) Acquisition
  • 04:30Energy-Dispersive X-Ray Analysis
  • 05:10Results: Representative ECP and ICP Emission Imaging
  • 06:46Conclusion

Summary

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利用事件电子束摇动条件下的电子导引现象，可靠地从少数民族物种、光元素、缺氧和其他点/线/平面缺陷中提取信息，为估计杂质的现场占用及其化学状态提供了定量微分析方法的总大纲。

Tags

Quantitative AnalysisAtomic-siteFunctional DopantsPoint DefectsCrystalline MaterialsElectron-channeling-enhanced MicroanalysisEnergy-dispersive X-ray SpectroscopyElectron Energy-loss SpectroscopyLattice DefectsVacanciesInterstitialsGrain BoundariesTransmission Electron MicroscopySTEMOptical Axis AlignmentBeam RockingCaustic SpotCondenser Aperture

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