Journal
/
/
Effekten af annodisering parametre på aluminiumoxid dielektriske lag af tyndfilm transistorer
JoVE 杂志
化学
Author Produced
需要订阅 JoVE 才能查看此.  登录或开始免费试用。
JoVE 杂志 化学
The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
DOI:

12:32 min

May 24, 2020

, , , ,

Chapters

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Results
  • 11:22Conclusion

Summary

自动翻译

Annodiseringsparametre for vækst af aluminiumoxiddielektrisk lag af zinkoxid tyndfilmstransistorer (TFTs) er varierede for at bestemme virkningerne på de elektriske parameterreaktioner. Analyse af varians (ANOVA) anvendes på en Plackett-Burman design af eksperimenter (DOE) for at bestemme de produktionsforhold, der resulterer i optimeret enhed ydeevne.

Related Videos

Read Article