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二次元ナノエレクトロニクスを作製する標準および信頼性の高いメソッド
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A Standard and Reliable Method to Fabricate Two-Dimensional Nanoelectronics
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二次元ナノエレクトロニクスを作製する標準および信頼性の高いメソッド

DOI:
10.3791/57885-v

•

07:12 min

•

August 28, 2018

•

, , ,
1Department of Physics,National Taiwan Normal University, 2National Applied Research Laboratories (NARL),National Nano Device Laboratories (NDL)

Chapters

  • 00:04Title
  • 00:49Fabrication of 2D Back-Gated Transistors
  • 04:41Results: Characterization of the MoS2 Monolayer Device
  • 05:49Conclusion

Summary

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記事は、将来低次元ナノエレクトロニクス研究開発の標準的な信頼性の高い施工を導入を目指します。

Tags

2D NanoelectronicsFabrication2D MaterialsMolybdenum DisulfidePMMAElectron-beam LithographySubstrate PreparationDevice Fabrication

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