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原子層堆積法を介してゲルマニウム上のペロブスカイト型チタン酸ストロンチウムのエピタキシャル成長
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Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition
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原子層堆積法を介してゲルマニウム上のペロブスカイト型チタン酸ストロンチウムのエピタキシャル成長

DOI:
10.3791/54268-v

•

09:45 min

•

July 26, 2016

•

, , ,
1McKetta Department of Chemical Engineering,The University of Texas at Austin

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:20Cleaning the Germanium Substrate
  • 02:46Loading to the Vacuum System and Germanium Deoxidization
  • 04:30Thin Film ALD Growth and Annealing of the Strontium Titanate (STO) Film
  • 07:23Results: RHEED and X-ray Diffraction Analysis
  • 08:41Conclusion

Summary

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この作品は、原子層堆積によりゲルマニウム基板上に直接結晶のSrTiO 3の成長と特性評価のための手順を詳しく説明しています。手順は、モノリシック金属酸化物半導体デバイスのための半導体の上に酸化物を統合するためのすべての化学的成長法の能力を示しています。

Tags

Keywords: Epitaxial GrowthPerovskiteStrontium TitanateGermaniumAtomic Layer DepositionMicroelectronicsDielectricCrystalline OxidesInterface StatesManufacturingPrecursorsMolecular Beam EpitaxySubstrate CleaningUV Ozone CleaningVacuum System

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